Erinnerung – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/de/ device, part, spec Mon, 25 Jul 2022 04:37:45 +0000 de hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM 1333Mhz PC3-10600 (2rx8) https://www.devicelog.com/de/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/ https://www.devicelog.com/de/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/#comments Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000 https://www.devicelog.com/?p=643-de EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) frontside

EKmemory DDR3 2GB PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) backside

  • Produktname : EKmemory DDR3 SDRAM 2 GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
  • Hersteller : EKmemory
  • Herstellungsland : Südkorea
  • Datenkapazität : 2GB
  • Taktfrequenz : 1333Mhz (PC3-10600)
  • Eigenschaften : 240Stift, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
  • Datenchip Zusammensetzung : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 Pommes frites
  • VDD-Spannung : 1.5V
  • Startseite : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = Dram&no = 91

EKmemory_DDR3_2GB_2Rx8_PC3-10600U-9-10-B0_package

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/ekmemory-ddr3-2gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8/feed/ 1 Samsung SDHC Class 10 Wesentlich 32GB https://www.devicelog.com/de/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/ https://www.devicelog.com/de/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/#respond Sat, 02 Mar 2013 16:03:37 +0000 https://www.devicelog.com/?p=625-de Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Package

Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Frontside

Samsung SDHC Essential 32GB Class 10 Backside

  • Produktname : Samsung SDHC Class 10 Wesentlich 32GB
  • Modellname : MB-SSBGA/KR
  • Hersteller : Samsung Electronics
  • Herstellungsland : Südkorea
  • Speichertyp : SDHC
  • Größe : 32mm x 24 mm x 2,1 mm
  • Datenkapazität : 32GB (2923GiB, 29927MiB)
  • Lesegeschwindigkeit : Max. 24MB / s
  • Schreibgeschwindigkeit : Max. 13MB / s
  • zulässige Spannung : 2.7 ~ 3.6V
  • Betriebs-/Nichtbetriebstemperaturbereich : -25 ~ 85 ° C. / -40 ~ 85 ° C.
]]> https://www.devicelog.com/storage/memory-card/sd/sdhc/samsung-sdhc-class-10-essential-32gb/feed/ 0 Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM 1333Mhz PC3-10600 (2rx8, Korea) https://www.devicelog.com/de/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/de/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-de Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

Produktname Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Speicher
(2rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
Hersteller Samsung Electronics (SEC)
Herstellungsland Südkorea
Baujahr / Woche 2011/31
Datenkapazität 4GB
Taktfrequenz 1333Mhz (PC3-10600)
Speichertiming CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9
Eigenschaften 240Stift, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Daten Bits x64
Tiefe / Bitorganisation 512M / x8
Interne Module Banken 8
Ranks 2
Datenchip Zusammensetzung [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 Pommes frites
(256Mbit ✕ 8 ✕ 16 Stck)
Komponente Revision 4ten Generation
Paket FBGA (Bleifrei & Halogen frei)
Höhe 30mm
VDD-Spannung 1.5V
Betriebsfall Temperaturbereich 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 UMC Sync-Cache-Modul 256 KB (Pipeline Burst Cache, Küste) https://www.devicelog.com/de/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/ https://www.devicelog.com/de/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/#comments Sat, 05 Jan 2013 13:27:32 +0000 https://www.devicelog.com/?p=535-de UMC Sync Cache Module 256KB Frontside (Pipeline Burst Cache)

UMC Sync Cache Module 256KB Backside (Pipeline Burst Cache)

viele Mainboards, unterstützt frühe Pentium-CPU, in der Regel hatte Cache sync-Cache-Speicher-Chips als CPU L2. Dieses sync-Cache-Modul(Küste; Cache auf einem Stick) wird externes Speichermodul als zusätzliche CPU L2-Cache verwendet,. Es maximiert die Performance des Prozessors, während der Prozessor für Befehle oder Daten wartet. L2 cache is used for operating closer to the theoretical limit of the microprocessor.

‚Pipelining’ schlägt vor, dass die Übertragungen nach der ersten Übertragung geschehen, bevor die erste Übertragung an dem Prozessor angekommen. ‚Pipleline Burst-Cache’ was developed as an alternative to asynchronous cache and synchronous burst cache.

  • Produktname : UMC Sync-Cache-Modul 256 KB (Ausführung : 1.8)
  • Artikelnummer : LM 2MV 94V-0
  • Hersteller : UMC
  • Herstellungsland : Taiwan
  • Baujahr / Woche : 1996/39
  • Datenkapazität : 256KB
  • Pinzahl : 80pins
  • Eigenschaften : Küste(Cache auf einem Stick), Pipeline Burst Cache, zusätzliche L2 Cache, SRAM
  • Stromspannung : 3.3V
  • Chip-Zusammensetzung : [UM61(L)3232AF-9641S 7 MM4X52] ✕ 2 + [UM61(m)256S-15 9549D RB1121] ✕ 1

 

Sync Cache Module Slot (Pipeline_Burst_Cache Moduel Slot)

UMC Sync cache module installed on Soyo mainboard slot

]]> https://www.devicelog.com/memory/sram/umc-sync-cache-module-256kb-pipeline-burst-cache/feed/ 2 Goldstar 1 MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) https://www.devicelog.com/de/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/ https://www.devicelog.com/de/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/#respond Tue, 02 Aug 2011 09:45:54 +0000 https://www.devicelog.com/?p=46-de Dieses SIMM ist mit goldener Farbe überzogen. Die Beschichtungsfarbe und die Platinenform dieses SIMM unterscheidet sich von das SIMM mit GM71C4400A.

GM71C4400B ist 1 M × 4 Bit. Und GM71C1000B ist 1 M × 4 Bit. The memory capacity and the function of this SIMM is not different from the SIMM with GM71C4400A and GM71C1000.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (frontside)

Goldstar 30핀 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (backside)

  • Produktionfirma : Goldstern-Electon
  • Herstellungsjahr : 1994
  • Herstellungsland : Südkorea
  • Modul Merkmale : 30Stift, SIMM, Parity RAM
  • Speicherkapazität : 1MB
  • Bandbreite : 8bisschen
  • Geschwindigkeit Eigenschaft : 70ns(tRAC)
  • Chip-Zusammensetzung : GM71C4400B × 2 + GM71C1000B

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B)

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400b-gmc71c1000b/feed/ 0 Goldstar 1 MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) https://www.devicelog.com/de/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/ https://www.devicelog.com/de/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/#comments Tue, 02 Aug 2011 05:39:00 +0000 https://www.devicelog.com/?p=23-de Goldstar ist das Markenzeichen von Goldstar Electron Co., GmbH. Es änderte seinen Namen in LG Semiconductor (LG Semicon) beim 1995, und es wurde in Hyundai Electronics-Industrie zusammen (Hynix von jetzt) at 1999.

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (frontside)Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A+GMC71C1000) (backside)

  • Produktionfirma : Goldstar Electron
  • Herstellungsjahr: 1993
  • Herstellungsland : Südkorea
  • Modul Merkmale : 30Stift, DRAM, SIMM, Parity RAM
  • Speicherkapazität : 1MB
  • Bandbreite : 8bisschen
  • Geschwindigkeit Eigenschaft : 70ns(tRAC)
  • Chip-Zusammensetzung : GM71C4400A × 2 + GM71C1000
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/goldstar-30pin-1mb-dram-simm-gm71c4400a-gmc71c1000/feed/ 2 Hyundai 1 MB DRAM 30pin SIMM https://www.devicelog.com/de/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/ https://www.devicelog.com/de/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/#comments Mon, 01 Aug 2011 16:12:29 +0000 https://www.devicelog.com/?p=5-de Dieser RAM ist 30-Pin 1 MB SIMM hergestellt von Hyundai Electronics-Industrie(Hynix von jetzt). 30-pin SIMMs wurden allgemein aus gebrauchtem 80286 zu 80486. Wenn die Anzahl der Chips ungerade Zahl, one of the chips perform parity check.

Dieser RAM besteht aus zwei HY514400A(1M x 4 bit) und ein HY531000A(1M x 1-Bit-). Die Speicherkapazität des RAM beträgt 1 MB. HY531000A ist ein Datenchip, and HY531000A is parity chip.

Hyundai 30-pin 1MB SIMM (HY514400A × 2 + HT531000A)

  • Hersteller : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Herstellungsjahr : 1993
  • Produktmerkmale : 30-Stift, DRAM SIMM, Parity RAM
  • Speicherkapazität : 1MB
  • Bandbreite : 8bisschen
  • Geschwindigkeit Eigenschaft : 70ns(tRAC)
  • Chip-Zusammensetzung : HY514400A × 2 + HY531000A (4× 2 + 1 Bits)
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/original-dram/hyundai-30pin-1mb-dram-simm/feed/ 1