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SEINE Radeon RX560 14CU GRÜN iCooler OC GDDR5 2GB

DeviceLog.com — Sun, 25 Dec 2022 05:15:29 +0000

Produktname	SEINE Radeon RX560 14CU GRÜN iCooler OC D5 2GB
Produktcode	HS-560J2SCNR
EAN-Code	489 51390 12361
Veröffentlichungsdatum	2016.8.8.
Hersteller von Chipsätzen	AMD(Wir hatten)
Platinenhersteller	Hightech Information System Ltd. (SEINE)
Herstellungsland	China
Speicherhersteller	Elpida-Erinnerung, Inc.
Chipsatz/GPU-Modell	AMD Radeon RX 560 Serie AMD Radeon HD 560
GPU-Codename	Baffin (Polaris 11)
GPU-Revision	CF
GPU-Technologie	14nm
GPU-Chipgröße	123mm²
GPU-Subvendor	UND AIB
GPU-Takt	Base : 1145Mhz OK : 1196Mhz Schub : 1176 MHz
Stream-Prozessoren (Recheneinheiten)	896 (14CU)
Video-RAM-Typ	GDDR5
Video-RAM-Größe	2048MB (2GB)
Video-RAM-Takt	1500Mhz
Busschnittstelle	PCI-Express 3.0 x 8
Busbreite	128bisschen
Busgeschwindigkeit	7.0Gbit/s (112GB / s)
Computertechnologien	OpenGL, DirectCompute, DirectML, Vulkan
Energieverbrauch	Max. 46W
Empfohlenes Netzteil	400W+
Kühler	iCooler ( Zwei Steckplätze 0 dB , 11 x Lüfterflügel)
Videoanschlüsse	DVI × 1 HDMI × 1 DisplayPort(DP) × 1
Maximale Auflösung (pro Anzeige)	DP 1.4 : 5120 × 2880 @ 60Hz HDMI 2.0b : 4096 × 2160 @ 60Hz Dual-Link-DVI-D-Anschluss : 2560 × 1600 @ 60Hz
Eigenschaften	• Null-Lüfter-Funktion • Breite: 170mm • Höhe: 35mm

EK-Speicher 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

DeviceLog.com — Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000

Produktname	EK-Speicher 2 GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Artikelnummer	EKM256S74BP8-E6
Hersteller	EK-Speicher
Herstellungsland	Taiwan
Chip Build Jahr / Woche	2008/27
Speichermodultyp	DDR2 SO-DIMM 200 Stift
Datenkapazität	2GB
Taktfrequenz	667Mhz (PC2-5300)
Speichertiming	CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5
Eigenschaften	200Stift ungepufferte Non-ECC Notizbuch(Laptop) Erinnerung
Daten Bits	x64
Datenchip-Info	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
Paket	FBGA (Fein-Pitch-BGA)
VDD-Spannung	1.8V

Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD)

DeviceLog.com — Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000

Produktname	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Artikelnummer	M378A2K43CB1-CTD (C-die)
Hersteller	Samsung Electronics
Herstellungsland	China
Baujahr / Woche	2019 / 06
DIMM-Typ	Udinn
Datenkapazität	16GB
Datenrate (Max Bandbreite)	2666.67 MT / s (21333.33 MB / s)
Speichertiming (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC)	19-19-19-43-61
Eigenschaften	288Stift, Unbuffer Non-ECC SDRAM DIMM DDR4
Daten Bits	x64
Interne Module Banken	16 Banken (4 Bankgruppen)
Ranks	2 (Dual Rank)
Komponente Zusammensetzung	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Paket	78FBGA mit Bleifrei & Halogen frei (RoHS-konform)
Höhe	31.25 mm
VDD-Spannung	1.2 V ± 0.06 V
Betriebsfall Temperaturbereich	Durchschnittliche Auffrischperiode 7.8us bei niedrigeren dann T_FALL 85℃, 3.9uns bei 85 ℃ < T_FALL ≤ 95 ℃

Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD)

DeviceLog.com — Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000

Produktname	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Artikelnummer	M378A1K43CB2-CTD (C-die)
Hersteller	Samsung Electronics
Herstellungsland	China
Baujahr / Woche	2018 / 28
DIMM-Typ	Udinn
Datenkapazität	8GB
Datenrate (Max Bandbreite)	2666.67 MT / s (21333.33 MB / s)
Speichertiming (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC)	19-19-19-43-61
Eigenschaften	288Stift, Unbuffer Non-ECC SDRAM DIMM DDR4
Daten Bits	x64
Interne Module Banken	16 Banken (4 Bankgruppen)
Ranks	1 (Single Rank)
Komponente Zusammensetzung	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Paket	78FBGA mit Bleifrei & Halogen frei (RoHS-konform)
Höhe	30mm
VDD-Spannung	1.2V ± 0.06V
Betriebsfall Temperaturbereich	Durchschnittliche Auffrischperiode 7.8us bei niedrigeren dann T_FALL 85℃, 3.9uns bei 85 ℃ < T_FALL ≤ 95 ℃

Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

DeviceLog.com — Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000

Produktname	Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400
Artikelnummer	M378T5663QZ3-CF7
Hersteller	Samsung Electronics
Herstellungsland	China
Baujahr / Woche	2009/04, 2010/07
Speichermodultyp	DIMM
Datenkapazität	2GB
Taktfrequenz	800Mhz (PC2-6400)
Speichertiming	CL = 6, tRCD = 6, tRP = 6
Eigenschaften	240Stift, Ungepufferte ECC DDR2 SDRAM DIMM
Daten Bits	x64
Interne Module Banken	8
Ranks	2
Datenchip Zusammensetzung (Tiefe × Bitorganisation × PC)	128M × 8 × 16pcs (K4T1G084QQ × 16pcs)
Paket	60FBGA mit bleifreien und halogenfrei (RoHS-konform)
Höhe	30mm
VDD-Spannung	1.8V ± 0,1 V
Betriebsfall Temperaturbereich	0° C ~ 95 ° C

Samsung 512 MB PC3200 DDR-SDRAM-DIMM (CL3, unechter RAM)

DeviceLog.com — Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000

Produktname : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (Nicht-Original-Teile)
Artikelnummer : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
Hersteller : Samsung Electronics (SEC)
Herstellungsland : Südkorea
Baujahr / Woche : 2003/33
Datenkapazität : 512MB
Taktfrequenz : 400Mhz (PC3200)
Eigenschaften : 184Stift, Ungepuffertes Nicht-ECC-DDR-SDRAM-DIMM
Datenchip Zusammensetzung : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 Pommes frites
Datenbanken : 4 Banken
Aktualisierungsintervall : 7.8μs (8K / 64ms aktualisieren)
Lesen Sie Latancy : 3 Uhr (CL3)
Berstlänge : 2, 4, 8
Burst-Typ : sequentiell & verschachteln
Maximaler Burst-Aktualisierungszyklus : 8
VDD, VDDQ : 2.6V ± 0,1 V

EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM 1333Mhz PC3-10600 (2rx8)

DeviceLog.com — Sun, 03 Mar 2013 06:14:35 +0000

Produktname : EKmemory DDR3 SDRAM 2 GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0
Hersteller : EKmemory
Herstellungsland : Südkorea
Datenkapazität : 2GB
Taktfrequenz : 1333Mhz (PC3-10600)
Eigenschaften : 240Stift, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Datenchip Zusammensetzung : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 Pommes frites
VDD-Spannung : 1.5V
Startseite : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = Dram&no = 91

Samsung 4GB DDR3 SDRAM DIMM 1333Mhz PC3-10600 (2rx8, Korea)

DeviceLog.com — Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000

Produktname	Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Speicher (2rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
Hersteller	Samsung Electronics (SEC)
Herstellungsland	Südkorea
Baujahr / Woche	2011/31
Datenkapazität	4GB
Taktfrequenz	1333Mhz (PC3-10600)
Speichertiming	CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9
Eigenschaften	240Stift, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Daten Bits	x64
Tiefe / Bitorganisation	512M / x8
Interne Module Banken	8
Ranks	2
Datenchip Zusammensetzung	[SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 Pommes frites (256Mbit ✕ 8 ✕ 16 Stck)
Komponente Revision	4ten Generation
Paket	FBGA (Bleifrei & Halogen frei)
Höhe	30mm
VDD-Spannung	1.5V
Betriebsfall Temperaturbereich	0° C ~ 85 ° C

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

DeviceLog.com — Thu, 25 Oct 2012 01:49:42 +0000

A-DATA Vitesta DDR600 Speicher Viesta, in DDR SDRAM-Speichermodule, erstens 600Mhz Taktgeschwindigkeit erreicht mit Samsung TCCD Speicherchips. Die Datenkapazität des A-Daten Viesta war 512 MB oder 256 MB. It was mostly used for ovcrclocking.

Produktname
- A-DATA Vitesta DDR600 512 MB
Artikelnummer
- MDOSSLF3H47A0B1G0Z
Hersteller
- A-DATA
Herstellungsland
- Taiwan
Baujahr
- 2004
Eigenschaften
- 184Stift
- Nicht-ECC-DDR-SDRAM entpuffern
Datenkapazität
- 512MB
Taktfrequenz
- 600Mhz (PC4800)
Stromspannung
- 2.8± 0,1 V.
Chip-Zusammensetzung
- Samsung TCCD 16 Pommes frites
PCB Höhe
- 31.75mm, 6 Schichten
Betriebsfall Temperaturbereich
- 0~ 95 ℃
Modulbank
- 2 physische Bank

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

DeviceLog.com — Fri, 09 Mar 2012 07:39:10 +0000

Produktname : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1
Artikelnummer : EBJ21UE8BFU0-DJ-F
Hersteller : ELPIDA
Herstellungsland : Taiwan
Baujahr / Woche : 2010/38
Formfaktor : DDR3 SO-DIMM
Eigenschaften : 204Stift, Non-ECC
Speicherkapazität : 2GB
Max Data Rate : 1333Mbps
Stromspannung : 1.5V
Organisation : 256M Worte × 64 Bits, 2 Reihen
Chip-Zusammensetzung : J1108BFBG-DJ-F × 16
Latenz (CL-tRCD-TRP) : 9-9-9
PCB Höhe : 30mm
Betriebsfall Temperaturbereich : 0~ 95 ℃