https://www.devicelog.com/de/ device, part, spec Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 de hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/de/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/de/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-de

Produktname	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Artikelnummer	M378A2K43CB1-CTD (C-die)
Hersteller	Samsung Electronics
Herstellungsland	China
Baujahr / Woche	2019 / 06
DIMM-Typ	Udinn
Datenkapazität	16GB
Datenrate (Max Bandbreite)	2666.67 MT / s (21333.33 MB / s)
Speichertiming (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC)	19-19-19-43-61
Eigenschaften	288Stift, Unbuffer Non-ECC SDRAM DIMM DDR4
Daten Bits	x64
Interne Module Banken	16 Banken (4 Bankgruppen)
Ranks	2 (Dual Rank)
Komponente Zusammensetzung	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Paket	78FBGA mit Bleifrei & Halogen frei (RoHS-konform)
Höhe	31.25 mm
VDD-Spannung	1.2 V ± 0.06 V
Betriebsfall Temperaturbereich	Durchschnittliche Auffrischperiode 7.8us bei niedrigeren dann TFALL 85℃, 3.9uns bei 85 ℃ < TFALL ≤ 95 ℃

 

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Produktname	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Artikelnummer	M378A1K43CB2-CTD (C-die)
Hersteller	Samsung Electronics
Herstellungsland	China
Baujahr / Woche	2018 / 28
DIMM-Typ	Udinn
Datenkapazität	8GB
Datenrate (Max Bandbreite)	2666.67 MT / s (21333.33 MB / s)
Speichertiming (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC)	19-19-19-43-61
Eigenschaften	288Stift, Unbuffer Non-ECC SDRAM DIMM DDR4
Daten Bits	x64
Interne Module Banken	16 Banken (4 Bankgruppen)
Ranks	1 (Single Rank)
Komponente Zusammensetzung	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Paket	78FBGA mit Bleifrei & Halogen frei (RoHS-konform)
Höhe	30mm
VDD-Spannung	1.2V ± 0.06V
Betriebsfall Temperaturbereich	Durchschnittliche Auffrischperiode 7.8us bei niedrigeren dann TFALL 85℃, 3.9uns bei 85 ℃ < TFALL ≤ 95 ℃

 

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