2.6V – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/de/ device, part, spec Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 de hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512 MB PC3200 DDR-SDRAM-DIMM (CL3, unechter RAM) https://www.devicelog.com/de/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/de/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-de Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Produktname : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (Nicht-Original-Teile)
  • Artikelnummer : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Hersteller : Samsung Electronics (SEC)
  • Herstellungsland : Südkorea
  • Baujahr / Woche : 2003/33
  • Datenkapazität : 512MB
  • Taktfrequenz : 400Mhz (PC3200)
  • Eigenschaften : 184Stift, Ungepuffertes Nicht-ECC-DDR-SDRAM-DIMM
  • Datenchip Zusammensetzung : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 Pommes frites
  • Datenbanken : 4 Banken
  • Aktualisierungsintervall : 7.8μs (8K / 64ms aktualisieren)
  • Lesen Sie Latancy : 3 Uhr (CL3)
  • Berstlänge : 2, 4, 8
  • Burst-Typ : sequentiell & verschachteln
  • Maximaler Burst-Aktualisierungszyklus : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0,1 V
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