Výrobce : Společnost LG Semicon Co., Ltd. Země výroby : Jižní Korea Číslo dílu : ? Form Factor : SIMM Features : 72kolík, EDO DRAM, Non-Parity Memory Capacity : 16MB Bandwidth : 32bit Speed : 60ns(TRAC) Napětí : 5V Chip Composition : GM71C17400CJ6 × 8 Rok/týden sestavení čipu : 1998/27 Jedna Capacity Chip : 4M […]

Název produktu Paměť EK 2 GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Číslo dílu EKM256S74BP8-E6 Výrobce EK Paměť Země výroby Tchaj-wan Čip Stavět rok / týden 2008/27 Typ paměťového modulu DDR2 SO-DIMM 200 pin Datová kapacita 2 GB Rychlost hodin 667 MHz (PC2-5300) Časování paměti CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 Funkce 200pin Unbuffered Non-ECC Notebook(Notebook) Informace o datových bitech paměti x64 Data Chip EK20908A8A-3EG […]

Název produktu Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Výrobce Samsung Electronics Země výroby filipínské Build let / týden 2014/08 Data Capacity 8 GB Taktovací frekvence 1600MHz (PC3-12800) Paměť časování CL = 11, tRCD = 11, TRP = 11 Vlastnosti 240pin, Technologie Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Výrobní proces 20, 30, 40nm Počet bitů bank x64 Vnitřní Module 8 hodnosti […]

M368L6423DTM je 32M bit x 64 Double Data Rate(DDR) SDRAM modul s vysokou hustotou na základě páté genernation 256 MB DDR SDRAM příslušně. M368L6423DTM se skládá ze šestnácti CMOS 32M x 8 bit s 4banks Double Data Rate SDRAMs v 66pin TSOP-II(400tisíc) obaly upevněny na 184pin sklo-epoxy podkladu. Jsou to čtyři kondenzátory 0,1uF […]

Samsung Electronics propuštěn DDR3 SDRAM moduly pomocí 30nm výrobní technologie v červenci 2010. Tento RAM modul byl vyroben 40nm výrobní technologii. Název produktu Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Výrobce Samsung Electronics (SEC) Země výroby Čína rok výroby / týden 2011/13 Data Capacity 4 GB Taktovací frekvence 1333MHz (PC3-10600) paměť časování […]