Název produktu Samsung DDR4 SDRAM 8 GB 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) Číslo dílu M378A1K43CB2-CTD (C-the) Výrobce Samsung Electronics Země výroby Čína Rok výroby / týden 2018 / 28 Datová kapacita typu DIMM UDIMM, datová rychlost 8 GB (Max Bandwidth) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) paměť časování (CL – tRCD – TRP – Tras – TRC) 19-19-19-43-61 Funkce 288pin, Non-ECC Unbuffer […]

Název produktu Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400 Číslo dílu M378T5663QZ3-CF7 Výrobce Samsung Electronics Země výroby Čína Rok výroby / týden 2009/04, 2010/07 Typ paměťového modulu Datová kapacita DIMM 2GB Rychlost hodin 800MHz (PC2-6400) Časování paměti CL = 6, tRCD = 6, tRP = 6 Funkce 240pin, Unbuffer Interní banky modulů D64 SDRAM DIMM SDRAM DDR2 x64 8 hodnosti 2 Data […]

Název produktu Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Výrobce Samsung Electronics Země výroby filipínské Build let / týden 2014/08 Data Capacity 8 GB Taktovací frekvence 1600MHz (PC3-12800) Paměť časování CL = 11, tRCD = 11, TRP = 11 Vlastnosti 240pin, Technologie Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Výrobní proces 20, 30, 40nm Počet bitů bank x64 Vnitřní Module 8 hodnosti […]

M368L6423DTM je 32M bit x 64 Double Data Rate(DDR) SDRAM modul s vysokou hustotou na základě páté genernation 256 MB DDR SDRAM příslušně. M368L6423DTM se skládá ze šestnácti CMOS 32M x 8 bit s 4banks Double Data Rate SDRAMs v 66pin TSOP-II(400tisíc) obaly upevněny na 184pin sklo-epoxy podkladu. Jsou to čtyři kondenzátory 0,1uF […]

Samsung Electronics propuštěn DDR3 SDRAM moduly pomocí 30nm výrobní technologie v červenci 2010. Tento RAM modul byl vyroben 40nm výrobní technologii. Název produktu Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Výrobce Samsung Electronics (SEC) Země výroby Čína rok výroby / týden 2011/13 Data Capacity 4 GB Taktovací frekvence 1333MHz (PC3-10600) paměť časování […]