DOUŠEK – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/cs/ device, part, spec Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 cs hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-cs Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • Jméno výrobku : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • objednací číslo : KMM366S203CTL-G0
  • Výrobce : Samsung Electronics Co., Ltd. (SEC)
  • Země výroby : Jižní Korea
  • Build rok / týden : 1998/09
  • Data Capacity : 16MB
  • Frekvence : 66Mhz (PC66)
  • Funkce : 168 kolík, Bez vyrovnávací paměti Non-ECC SDRAM DIMM
  • čip Údaje o složení : [KM48S2020CT-G10] × 8 bramborové hranolky
    (2M × 64bit)
  • Informace o jednom čipu
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM nebo UQL004DD)
    • Typ paměťového IC : Synchronní DRAM
    • Kapacita : 2M x 8 bitů
    • Doba přístupu-Max : 7 ns
    • Délka prokládané série: 1, 2, 4, 8
    • Frekvence hodin-Max (fCLK) : 100 MHz
    • 44 kolík
    • Build rok / týden : 1998/07
  • VDD : 3.3V
  • ATD : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-cs LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • Jméno výrobku : LG SDRAM 16MB PC66
  • objednací číslo : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • Výrobce : Společnost LG Semicon Co., Ltd.
  • Země výroby : Jižní Korea
  • Build rok / týden : 1997/03
  • Data Capacity : 16MB
  • Frekvence : 66Mhz (PC66)
  • Funkce : 168kolík, Bez vyrovnávací paměti Non-ECC SDRAM DIMM
  • čip Údaje o složení : [GM72V16821BT10K] × 8 bramborové hranolky
    (2M × 64bit)
  • Jedna Capacity Chip : 2M x 8 bitů
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-cs LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • Výrobce : Společnost LG Semicon Co., Ltd.
  • Země výroby : Jižní Korea
  • Part Number : ?
  • Form Factor : SIMM
  • Funkce : 72kolík, EDO DRAM, Non-parita
  • Paměťová kapacita : 16MB
  • Bandwidth : 32bit
  • Rychlost : 60ns(TRAC)
  • Napětí : 5V
  • Chip Složení : GM71C17400CJ6 × 8
  • Rok/týden sestavení čipu : 1998/27
  • Jedna Capacity Chip : 4M x 4bit
  • Atd : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 Paměť EK 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-cs EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

jméno výrobku Paměť EK 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Part Number EKM256S74BP8-E6
Výrobce EK paměť
země výroby Taiwan
Rok/týden sestavení čipu 2008/27
Memory Type Module DDR2 SO-DIMM 200 kolík
Data Capacity 2GB
Taktovací frekvence 667Mhz (PC2-5300)
paměť časování CL=5, tRCD = 5, tRP = 5
Funkce 200kolík
unbuffered
Non-ECC
zápisník(Notebook) Paměť
datové bity x64
Informace o datovém čipu EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
Balík FBGA (BGA s jemným tónem)
VDD napětí 1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-cs SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

jméno výrobku Samsung DDR4 SDRAM 16 GB 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Part Number M378A2K43CB1-CTD
(C-the)
Výrobce Samsung Electronics
země výroby Čína
Rok výroby / týden 2019 / 06
typu DIMM Udinn
Data Capacity 16GB
Rychlost přenosu dat
(Max Bandwidth)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
paměť časování
(CL – tRCD – TRP – Tras – TRC)		 19-19-19-43-61
Funkce 288kolík, DDR4 unbuffered ECC SDRAM DIMM
datové bity x64
Vnitřní modul Banks 16 Banks (4 bankovní skupiny)
hodnosti 2 (Dual Rank)
komponenta Složení (1G x 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
Balík 78FBGA s bezolovnaté & Bez halogenů
(RoHS)
Výška 31.25 mm
VDD napětí 1.2 V ± 0.06 V
Provozní Case Teplotní rozsah Průměrná doba Aktualizovat 7.8us na nižší než TPOUZDRO 85℃,
3.9námi na 85 ℃ < TPOUZDRO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8 GB DDR4 UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-cs SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

jméno výrobku Samsung DDR4 8GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Part Number M378A1K43CB2-CTD
(C-the)
Výrobce Samsung Electronics
země výroby Čína
Rok výroby / týden 2018 / 28
typu DIMM Udinn
Data Capacity 8GB
Rychlost přenosu dat
(Max Bandwidth)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
paměť časování
(CL – tRCD – TRP – Tras – TRC)		 19-19-19-43-61
Funkce 288kolík, DDR4 unbuffered ECC SDRAM DIMM
datové bity x64
Vnitřní modul Banks 16 Banks (4 bankovní skupiny)
hodnosti 1 (Single Rank)
komponenta Složení (1G x 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Balík 78FBGA s bezolovnaté & Bez halogenů
(RoHS)
Výška 30mm
VDD napětí 1.2V ± 0.06V
Provozní Case Teplotní rozsah Průměrná doba Aktualizovat 7.8us na nižší než TPOUZDRO 85℃,
3.9námi na 85 ℃ < TPOUZDRO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2gb DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-cs Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

jméno výrobku Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R × 8 PC2-6400
Part Number M378T5663QZ3-CF7
Výrobce Samsung Electronics
země výroby Čína
Rok výroby / týden 2009/04, 2010/07
Memory Type Module DIMM
Data Capacity 2GB
Taktovací frekvence 800Mhz (PC2-6400)
paměť časování CL = 6, tRCD = 6, Trp = 6
Funkce 240kolík, Unbuffered ECC DDR2 SDRAM DIMM
datové bity x64
Vnitřní modul Banks 8
hodnosti 2
Údaje Chip Složení
(Hloubka x Bit organizace x ks)		 128M × 8 x 16pcs
(K4T1G084QQ x 16pcs)
Balík 60FBGA s bezolovnaté a bez obsahu halogenů
(RoHS)
Výška 30mm
VDD napětí 1.8V ± 0.1V
Provozní Case Teplotní rozsah 0° C až 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8 GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R x 8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-cs Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Jméno výrobku Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Výrobce Samsung Electronics
Země výroby Philippine
Build rok / týden 2014/08
Data Capacity 8GB
Frekvence 1600Mhz (PC3-12800)
paměť časování CL = 11, tRCD = 11, Trp = 11
Funkce 240kolík, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Výrobní proces technologie 20, 30, 40nm
datové bity x64
Banky interní modul 8
hodnosti 2
čip Údaje o složení
(Hloubka x Bit organizace x ks)		 512M x 8 x 16 ks
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 ks)
Balík
78 FBGA s bezolovnaté & Bez halogenů
(RoHS)
Výška 30mm
VDD napětí 1.5V ± 0.075V
Provozní Case Teplotní rozsah 0° C až 95 ° C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512 MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-cs M368L6423DTM je 32M bit x 64 Double Data Rate(DDR) SDRAM modul s vysokou hustotou na základě páté genernation 256 MB DDR SDRAM příslušně. M368L6423DTM se skládá ze šestnácti CMOS 32M x 8 bit s 4banks Double Data Rate SDRAMs v 66pin TSOP-II(400tisíc) obaly upevněny na 184pin sklo-epoxy podkladu. Čtyři 0.1uF oddělovací kondenzátory jsou namontovány na desce plošných spojů paralelně pro každý DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Jméno výrobku Samsung DDR SDRAM PC2700 512 MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Výrobce Samsung Electronics
Země výroby Korea
Build rok / týden 2003/12
Data Capacity 512MB
Frekvence 166Mhz (PC2700, DDR333)
paměť časování CL = 2,5
Funkce 184kolík, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
Velikost 133.35mm x 31,75 mm
datové bity 64bit
Banky interní modul 4
čip Údaje o složení K4H560838D-TCB3 × 16
(32M x 8bit × 16chips)
Balík TSOP-II
VDD napětí 2.5V ± 0.2V
Provozní Case Teplotní rozsah 0° C až 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/cs/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-cs Samsung Electronics propuštěn DDR3 SDRAM moduly pomocí 30nm výrobní technologie v červenci 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Jméno výrobku Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Výrobce Samsung Electronics (SEC)
Země výroby Čína
Build rok / týden 2011/13
Data Capacity 4GB
Frekvence 1333Mhz (PC3-10600)
paměť časování CL = 9, tRCD = 9, Trp = 9
Funkce 204kolík, SODIMM, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM
Výrobní proces technologie 40nm
datové bity x64
Banky interní modul 8
hodnosti 2
čip Údaje o složení 256M x 8 * 16 ks
komponenta revize 2Gb, C-the
Balík 78 míč FBGA
Výška 30mm
VDD napětí 1.5V
Provozní Case Teplotní rozsah 0° C až 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3