U fabricatore : LG Semicon Co., Ltd. Paese di fabricazione : Numero di parte di Corea di u Sud : ? Fattore di forma : Caratteristiche SIMM : 72pin, EDO DRAM, Capacità di memoria senza parità : 16Larghezza di banda MB : 32Bit Speed : 60ns(tRAC) Tensione : 5Composizione V Chip : GM71C17400CJ6 × 8 Chip Build Year / Week : 1998/27 Una capacità di chip : 4M […]

U fabricatore : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Build Year : 1994 Paese di fabricazione : Numero di parte di Corea di u Sud : Fattore di forma HYM532100AM-70 : SIMM tippu di memoria : Capacità di memoria EDO DRAM : 4Tipu di bus MB : Memoria rapida di a pagina (FPM) Correzione di errore : Pin non-parità : 72Pin Larghezza di banda : 32pocu Latenza : 70ns (tRAC) Tensione […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Paese di fabricazione : South Korea Module Features : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM hà un spaziu di memoria temporale per l'I / O di dati più veloce. Hè efficace quandu u sistema ùn pò micca riceve supportu di memoria cache. Ma se u sistema hà memoria cache, l'effettu di EDO DRAM hè pocu. U fabricatore : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Custruì annu / settimana : 1997/32 Paese di fabricazione : Corea (Corea di u Sudu) Part Number […]