Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Cina)

Postatu da DeviceLog.com | Postatu in SDRAM DDR3 | Postatu nantu 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Nome di u produttu Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memoria (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0 - CH9 M378B5263DH1) Produttore Samsung Electronics Paese di fabricazione Cina Custruì annu / settimana 2010/38 Capacità di dati 2GB Velocità di clock 1333Mhz (PC3-10600) Caratteristiche 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tecnulugia di prucessu di produzzione 40nm Bit di dati x64 Banchi di moduli interni 8 A cumpusizioni di chip di dati [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chips […]

Cuntinuà Reading

UMC Sync Cache Module 256KB (Pipeline Burst Cache, COAST)

Postatu da DeviceLog.com | Postatu in SRAM | Postatu nantu 2013-01-05

2

UMC Sync Cache Module 256KB Frontside (Pipeline Burst Cache)

Parechji mainboards, supporté les premières CPU Pentium, di solitu avia chips di memoria cache di sincronia cum'è cache CPU L2. Stu modulu di cache di sincronia(COAST; Cache nantu à un bastone) hè un modulu di memoria esterna utilizatu cum'è cache CPU L2 addiziale. Maximizes a perfomance di u processatore mentre u processatore aspetta per struzzioni o dati. A cache L2 hè aduprata per u funziunamentu […]

Cuntinuà Reading

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC 4800)

Postatu da DeviceLog.com | Postatu in SDRAM DDR | Postatu nantu 2012-10-25

0

A-DATA Viesta DDR600 Viesta Memory, in moduli di memoria DDR SDRAM, prima hà ottenutu una velocità di clock 600Mhz cù chips di memoria Samsung TCCD. A capacità di dati di A-data Viesta era 512MB o 256MB. Hè stata utilizata soprattuttu per ovcrclock.   Nome di u produttu A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabbricante A-DATA Paese di fabricazione Taiwan Annu di custruzzione 2004 Dispone di 184pin Unbuffer […]

Cuntinuà Reading

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

Postatu da DeviceLog.com | Postatu in DRAM originale | Postatu nantu 2012-05-18

1

Samsung 1MB DRAM SIMM backside (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Paese di fabricazione : South Korea Module Features : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Cuntinuà Reading

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Postatu da DeviceLog.com | Postatu in SDRAM DDR3 | Postatu nantu 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

Product Name : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Fattore di forma : DDR3 SO-DIMM Features : 204pin, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Cuntinuà Reading