dili tinuod – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ceb/ device, part, spec Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 ceb hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, dili tinuod nga RAM) https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-ceb Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Ngalan sa produkto : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (dili tinuod nga mga bahin)
  • Numero sa bahin : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Manufacturer : Samsung Electronics (GIPADAYAG ni SEC)
  • Nasud sa paghimo : South Korea
  • Pagtukod tuig/semana : 2003/33
  • Kapasidad sa Data : 512MB
  • Katulin sa orasan : 400Mhz (PC3200)
  • Mga bahin : 184pin, Wala'y Buffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • Komposisyon sa data chip : [Sec K4H560838E-TCCC] ✕ 8 mga chips
  • Mga bangko sa datos : 4 mga bangko
  • I-refresh ang agwat : 7.8μs (8K/64ms refresh)
  • Basaha ang latancy : 3 orasan (CL3)
  • Ang gitas-on sa pagbuto : 2, 4, 8
  • Uri sa pagbuto : sunodsunod & interleave
  • Maximum nga burst refresh cycle : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V±0.1V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3