https://www.devicelog.com/ceb/ device, part, spec Wed, 06 Nov 2019 11:16:37 +0000 ceb hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-ceb

Ngalan sa Produkto	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Numero sa Bahin	M378A2K43CB1-CTD (C-ang)
Manufacturer	Samsung Electronics
Nasud sa Paggama	China
Tuig/Semana sa Pagtukod	2019 / 06
matang sa DIMM	Mga UDIMM
Kapasidad sa Data	16GB
Rate sa Data (Max Bandwidth)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
Timing sa Memorya (Sumbanan – trcd – papel – human sa – trk)	19-19-19-43-61
Mga bahin	288pin, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Mga Bit sa Data	x64
Internal nga Module nga mga Bangko	16 Mga bangko (4 Mga Grupo sa Bangko)
Mga ranggo	2 (Doble nga Ranggo)
Komposisyon sa Component	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Pakete	78FBGA nga adunay Lead-Free & Walay Halogen (Nagsunod sa RoHS)
Taas	31.25 mm
VDD nga boltahe	1.2 V ± 0.06 V
Sakup sa Temperatura sa Operating Case	Average nga Panahon sa Pag-refresh 7.8us sa ubos nga TKASO 85℃, 3.9kami sa 85 ℃ < TKASO ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1