https://www.devicelog.com/ceb/ device, part, spec Wed, 06 Nov 2019 11:31:36 +0000 ceb hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-ceb Ang M368L6423DTM kay 32M bit x 64 Doble nga Rate sa Data(DDR) SDRAM high density memory module base sa ikalima nga henerasyon sa 256Mb DDR SDRAM matag usa. Ang M368L6423DTM naglangkob sa napulo ug unom nga CMOS 32M x 8 gamay nga adunay 4banks Double Data Rate SDRAMs sa 66pin TSOP-II(400mil) mga pakete nga gitaod sa usa ka 184pin nga glass-epoxy substrate. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Ngalan sa produkto	Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM (PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Manufacturer	Samsung Electronics
Nasud sa paghimo	Korea
Pagtukod tuig/semana	2003/12
Kapasidad sa Data	512MB
Katulin sa orasan	166Mhz (PC2700, DDR333)
Timing sa Memorya	CL=2.5
Mga bahin	184pin, DIMM, Dili-ECC DDR SDRAM Unbuffer
Gidak-on	133.35mm × 31.75mm
Mga tipik sa datos	64gamay
Internal nga Module nga mga bangko	4
Komposisyon sa data chip	K4H560838D-TCB3 × 16 (32M × 8bit × 16chips)
Pakete	TSOP-II
VDD boltahe	2.5V ± 0.2V
Sakup sa Temperatura sa Operating Case	0°C ~ 85°C

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-ceb

• Ngalan sa produkto : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (dili tinuod nga mga bahin)
• Numero sa bahin : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
• Manufacturer : Samsung Electronics (GIPADAYAG ni SEC)
• Nasud sa paghimo : South Korea
• Pagtukod tuig/semana : 2003/33
• Kapasidad sa Data : 512MB
• Katulin sa orasan : 400Mhz (PC3200)
• Mga bahin : 184pin, Wala'y Buffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
• Komposisyon sa data chip : [Sec K4H560838E-TCCC] ✕ 8 mga chips
• Mga bangko sa datos : 4 mga bangko
• I-refresh ang agwat : 7.8μs (8K/64ms refresh)
• Basaha ang latancy : 3 orasan (CL3)
• Ang gitas-on sa pagbuto : 2, 4, 8
• Uri sa pagbuto : sunodsunod & interleave
• Maximum nga burst refresh cycle : 8
• VDD, VDDQ : 2.6V±0.1V

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3 https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/ https://www.devicelog.com/ceb/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/#respond Thu, 25 Oct 2012 01:49:42 +0000 https://www.devicelog.com/?p=455-ceb A-DATA Viesta DDR600 Viesta Memory, sa DDR SDRAM memory modules, una nga nakab-ot ang 600Mhz nga katulin sa orasan sa Samsung TCCD memory chips. Ang kapasidad sa datos sa A-data Viesta kay 512MB o 256MB. It was mostly used for ovcrclocking.

 

• Ngalan sa Produkto
  • A-DATA Vitesta DDR600 512MB
• Numero sa Bahin
  • MDOSSLF3H47A0B1G0Z
• Manufacturer
  • A-DATA
• Nasud sa paghimo
  • Taiwan
• Tuig sa Pagtukod
  • 2004
• Mga bahin
  • 184pin
  • Dili-ECC DDR SDRAM Unbuffer
• Kapasidad sa Data
  • 512MB
• Katulin sa orasan
  • 600Mhz (PC4800)
• Boltahe
  • 2.8±0.1V
• Komposisyon sa Chip
  • Samsung TCCD 16 mga chips
• Ang gitas-on sa PCB
  • 31.75mm, 6 mga sapaw
• Sakup sa Temperatura sa Operating Case
  • 0~95 ℃
• Bank sa module
  • 2 pisikal nga bangko

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/adata-vitesta-ddr600-512mb/feed/ 0