Nom del producte Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 GB de memòria (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabricant Samsung Electronics País fabricant Xina Any de fabricació / setmana 2010/38 Capacitat de dades 2 GB Velocitat de rellotge de 1333 MHz (PC3-10600) Compta amb 240pin, Unbuffer DDR3 no ECC SDRAM DIMM Tecnologia de procés de producció 40nm bits de dades x64 Bancs de mòduls interns 8 Composició de xips de dades [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 xips […]

nom del producte : Número de peça ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabricant : ELPIDA País de fabricació : Any/setmana de construcció de Taiwan : 2010/38 Factor de forma : Característiques DDR3 SO-DIMM : 204agulla, Capacitat de memòria no ECC : 2Velocitat màxima de dades GB : 1333Voltatge Mbps : 1.5V Organització : 256M paraules × 64 trossos, 2 classifica composició de xip : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Any de l'entitat / Setmana : 1997/32 Païs de manufactura : Corea (Corea del Sud) Nombre de peça […]

Aquest SIMM està xapat amb color daurat. The plating color and the board form of this SIMM is different from the SIMM with GM71C4400A. GM71C4400B és 1M × 4bit. I el GM71C1000B és 1M × 4bit. La capacitat de memòria i la funció d’aquesta SIMM no són diferents de la SIMM amb GM71C4400A i GM71C1000. Manufacturing […]

Goldstar is the trademark of Goldstar Electron Co., Ltd. It changed its name into LG Semiconductor (LG Semicon) at 1995, and it was merged into Hyundai Electronics industry (Hynix of now) at 1999. Manufacturing Company : Goldstar Electron Manufactured year: 1993 Païs de manufactura : South Korea Module Features : 30agulla, DRAM, SIMM, RAM de paritat […]