no ECC – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ca/ device, part, especificació Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 ca hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Memòria EK 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-ca EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

nom del producte Memòria EK 2 GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Nombre de peça EKM256S74BP8-E6
fabricant Memòria EK
Païs de manufactura Taiwan
Any/setmana de construcció de xip 2008/27
Tipus de mòdul de memòria DDR2 SO-DIMM 200 agulla
Capacitat de dades 2GB
velocitat de l'rellotge 667mhz (PC2-5300)
sincronització de la memòria CL=5, tRCD=5, tRP=5
Característiques 200agulla
sense memòria intermèdia
no ECC
Quadern(Portàtil) memòria
Els bits de dades x64
Informació del xip de dades EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
paquet FBGA (BGA de to fi)
tensió VDD 1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 PC4-21300 16GB Samsung DDR4 SDRAM UDIMM 2RX8 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-ca SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

nom del producte Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Nombre de peça M378A2K43CB1-CTD
(C-la)
fabricant Samsung Electronics
Païs de manufactura Xina
Any de l'entitat / Setmana 2019 / 06
tipus de DIMM Udinn
Capacitat de dades 16GB
Velocitat de dades
(L'ample de banda màxim)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
sincronització de la memòria
(CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
Característiques 288agulla, Unbuffer No ECC DDR4 SDRAM DIMM
Els bits de dades x64
Els bancs mòdul intern 16 bancs (4 grups bancaris)
files 2 (Dual Rànquing)
composició component (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
paquet 78FBGA amb sense plom & Lliure d'halògens
(compatible amb RoHS)
alçada 31.25 mm
tensió VDD 1.2 V ± 0.06 V
Cas de funcionament Temperatura Rang 7.8us Període Mitjana Actualitzar en T inferior a continuació,CAS 85℃,
3.9nosaltres a 85 ℃ < TCAS ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 PC4-21300 8GB Samsung DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-ca SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

nom del producte Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R × 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Nombre de peça M378A1K43CB2-CTD
(C-la)
fabricant Samsung Electronics
Païs de manufactura Xina
Any de l'entitat / Setmana 2018 / 28
tipus de DIMM Udinn
Capacitat de dades 8GB
Velocitat de dades
(L'ample de banda màxim)		 2666.67 MT / s
(21333.33 MB / s)
sincronització de la memòria
(CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC)		 19-19-19-43-61
Característiques 288agulla, Unbuffer No ECC DDR4 SDRAM DIMM
Els bits de dades x64
Els bancs mòdul intern 16 bancs (4 grups bancaris)
files 1 (individual Rang)
composició component (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
paquet 78FBGA amb sense plom & Lliure d'halògens
(compatible amb RoHS)
alçada 30mm
tensió VDD 1.2V ± 0.06V
Cas de funcionament Temperatura Rang 7.8us Període Mitjana Actualitzar en T inferior a continuació,CAS 85℃,
3.9nosaltres a 85 ℃ < TCAS ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, que no siguin o RAM) https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-ca Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Nom del producte : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (peces no genuïnes)
  • Número de peça : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • fabricant : Samsung Electronics (SEC)
  • Païs de manufactura : Corea del Sud
  • Construir any / setmana : 2003/33
  • Capacitat de dades : 512MB
  • Velocitat del rellotge : 400mhz (PC3200)
  • Característiques : 184agulla, DIMM DDR SDRAM sense búfer sense ECC
  • Composició de xips de dades : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 xips
  • Bancs de dades : 4 bancs
  • Interval d'actualització : 7.8μs (8Actualització K/64 ms)
  • Llegir latància : 3 rellotge (CL3)
  • Longitud de l'esclat : 2, 4, 8
  • Tipus d'explosió : seqüencial & intercalar
  • Cicle de refresc màxim de ràfega : 8
  • VDD, VDDQ : 2.60,1 V V ±
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3 Samsung 4 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2RX8, Corea) https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-ca Samsung DDR3 SDRAM 4GB Memory DIMM (2Rx8 PC3-10600U-09-11-B1 M378B5273DH0-CH9 1131)

Nom del producte Memòria Samsung 4 GB DDR3 SDRAM PC3-10600
(2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
fabricant Samsung Electronics (SEC)
Païs de manufactura Corea del Sud
Construir any / setmana 2011/31
Capacitat de dades 4GB
Velocitat del rellotge 1333mhz (PC3-10600)
sincronització de la memòria CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9
Característiques 240agulla, Anul·lar la memòria DIMM SDRAM DDR3 no ECC
Bit de dades x64
Profunditat / Organització de bits 512M / x8
Bancs de mòduls interns 8
files 2
Composició de xips de dades [SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 xips
(256Mbit ✕ 8 ✕ 16 pcs)
Revisió del component 4generació
paquet FBGA (Sense plom & Sense halògens)
alçada 30mm
Tensió de VDD 1.5V
Cas de funcionament Temperatura Rang 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0 Samsung 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1RX8, Xina) https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/ https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/#comments Wed, 09 Jan 2013 14:20:55 +0000 https://www.devicelog.com/?p=557-ca Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Nom del producte Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 GB de memòria
(1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1)
fabricant Samsung Electronics
Païs de manufactura Xina
Construir any / setmana 2010/38
Capacitat de dades 2GB
Velocitat del rellotge 1333mhz (PC3-10600)
Característiques 240agulla, Anul·lar la memòria DIMM SDRAM DDR3 no ECC
Tecnologia de processos de producció 40nm
Bit de dades x64
Bancs de mòduls interns 8
Composició de xips de dades [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 xips
Profunditat / Organització de bits 256M / x8
Revisió del component 4generació
paquet FBGA (Sense plom & Sense halògens)
alçada 30mm
Tensió de VDD 1.5V
Cas de funcionament Temperatura Rang 0° C ~ 85 ° C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-2gb-pc3-10600-1333mhz-1rx8-china/feed/ 6