400mhz – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/ca/ device, part, especificació Sat, 04 Jun 2016 15:05:16 +0000 ca hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, que no siguin o RAM) https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/ https://www.devicelog.com/ca/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/#comments Wed, 13 Mar 2013 08:31:50 +0000 https://www.devicelog.com/?p=717-ca Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (non-genuine RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (non-genuine RAM)

  • Nom del producte : Samsung DDR SDRAM 512 MB PC3200 (peces no genuïnes)
  • Número de peça : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • fabricant : Samsung Electronics (SEC)
  • Païs de manufactura : Corea del Sud
  • Construir any / setmana : 2003/33
  • Capacitat de dades : 512MB
  • Velocitat del rellotge : 400mhz (PC3200)
  • Característiques : 184agulla, DIMM DDR SDRAM sense búfer sense ECC
  • Composició de xips de dades : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 xips
  • Bancs de dades : 4 bancs
  • Interval d'actualització : 7.8μs (8Actualització K/64 ms)
  • Llegir latància : 3 rellotge (CL3)
  • Longitud de l'esclat : 2, 4, 8
  • Tipus d'explosió : seqüencial & intercalar
  • Cicle de refresc màxim de ràfega : 8
  • VDD, VDDQ : 2.60,1 V V ±
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-512mb-pc3200-cl3-b/feed/ 3