Nom del producte : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 Número de peça : KMM366S203CTL-G0 Fabricant : Samsung Electronics Co., Ltd. (SEC) Païs de manufactura : Corea del Sud Construeix any/setmana : 1998/09 Capacitat de dades : 16MB Velocitat de rellotge : 66mhz (PC66) Característiques : 168 agulla, Composició del xip de dades DIMM SDRAM no ECC sense memòria intermèdia : [KM48S2020CT-G10] × 8 xips (2M […]

Nom del producte : LG SDRAM 16MB PC66 Número de peça : GMM2642233BLTG-10K 7101S Fabricant : LG Semicon Co., Ltd. Païs de manufactura : Corea del Sud Construeix any/setmana : 1997/03 Capacitat de dades : 16MB Velocitat de rellotge : 66mhz (PC66) Característiques : 168agulla, Composició del xip de dades DIMM SDRAM no ECC sense memòria intermèdia : [GM72V16821BT10K] × 8 xips (2M × 64 bits) Un […]

fabricant : LG Semicon Co., Ltd. Païs de manufactura : Número de peça de Corea del Sud : ? Factor de forma : Característiques SIMM : 72agulla, EDO DRAM, Capacitat de memòria no paritària : 16Ample de banda MB : 32bit Velocitat : 60ns(TRAC) Voltatge : 5Composició del xip V : GM71C17400CJ6 × 8 Any/setmana de construcció de xip : 1998/27 Capacitat d'un xip : 4M […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. fabricant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Any de l'entitat / Setmana : 1997/32 Païs de manufactura : Corea (Corea del Sud) Nombre de peça […]