পণ্যের নাম : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 অংশ নম্বর : KMM366S203CTL-G0 প্রস্তুতকারক : Samsung Electronics Co., লিমিটেড. (এসইসি) প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া বিল্ড বছর / সপ্তাহ : 1998/09 ডেটা ক্যাপাসিটি : 16এমবি ঘড়ির গতি : 66মেগাহার্টজ (পিসি 66) বৈশিষ্ট্য : 168 পিন, আনফফার্ড নন-ইসিসি এসডিআরএম ডিআইএমএম ডেটা চিপ কম্পোজিশন : [KM48S2020CT-G10] × 8 চিপস (2এম […]

পণ্যের নাম : LG SDRAM 16MB PC66 অংশ নম্বর : GMM2642233BLTG-10K 7101S প্রস্তুতকারক : এলজি সেমিকন কো., লিমিটেড. প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া বিল্ড বছর / সপ্তাহ : 1997/03 ডেটা ক্যাপাসিটি : 16এমবি ঘড়ির গতি : 66মেগাহার্টজ (পিসি 66) বৈশিষ্ট্য : 168পিন, আনফফার্ড নন-ইসিসি এসডিআরএম ডিআইএমএম ডেটা চিপ কম্পোজিশন : [GM72V16821BT10K] × 8 চিপস (2M × 64 বিট) এক […]

উত্পাদক : এলজি সেমিকন কো., লিমিটেড. প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া পার্ট নম্বর : ? ফর্ম ফ্যাক্টর : সিম বৈশিষ্ট্য : 72পিন, EDO ডির্যাম, নন-প্যারিটি মেমরি ক্যাপাসিটি : 16এমবি ব্যান্ডউইথ : 32বিট গতি : 60NS(TRAC) ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ : 5ভি চিপ রচনা : GM71C17400CJ6 × 8 EK মেমরি 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 এর স্থায়ী লিঙ্ক : 1998/27 এক চিপ ক্ষমতা : 4এম […]

EDO DRAM has temporary memory space for faster data I/O. It is effective when the system cannot receive cache memory support. But if the system has cache memory, the effect of EDO DRAM is little. উত্পাদক : হুন্ডাই ইলেকট্রনিক্স ইন্ডাস্ট্রিজ কো।, লিমিটেড. বছর / week তৈরি করুন : 1997/32 প্রস্তুতকারী দেশ : কোরিয়া (দক্ষিণ কোরিয়া) অংশ সংখ্যা […]