Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 ডেটা চিপ রচনা [এসইসি HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 চিপস […]

অনেক মেইনবোর্ড, প্রারম্ভিক পেন্টিয়াম CPU সমর্থিত, সাধারণত CPU L2 ক্যাশে হিসাবে সিঙ্ক ক্যাশে মেমরি চিপ ছিল. এই সিঙ্ক ক্যাশে মডিউল(কোস্ট; একটি লাঠি উপর ক্যাশে) অতিরিক্ত CPU L2 ক্যাশে হিসাবে ব্যবহৃত বহিরাগত মেমরি মডিউল. এটি প্রসেসরের কর্মক্ষমতাকে সর্বাধিক করে তোলে যখন প্রসেসর নির্দেশাবলী বা ডেটার জন্য অপেক্ষা করছে. L2 ক্যাশে অপারেটিং জন্য ব্যবহার করা হয় […]

এ-ডেটা ভিয়েস্তা ডিডিআর600 ভিয়েস্তা মেমরি, DDR SDRAM মেমরি মডিউলে, স্যামসাং TCCD মেমরি চিপ দিয়ে প্রথমে 600Mhz ঘড়ির গতি অর্জন করেছে. A-ডেটা ভিয়েস্তার ডেটা ক্ষমতা ছিল 512MB বা 256MB৷. এটি বেশিরভাগ ওভারক্লকিংয়ের জন্য ব্যবহৃত হত.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

কেএমএম591000 এএন -7 দুটি কেএম 44 সি 1000 এজে -7 চিপস এবং একটি কেএম 44 সি 1000 সিজে -7 চিপযুক্ত. KMM591000BN-7 দুটি KM44C1000BJ-7 চিপ এবং একটি KM44C1000CJ-7 চিপ দিয়ে গঠিত. সেগুলি স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স দ্বারা উত্পাদিত 1 এমবি ড্রাম সিম রয়েছে M. উত্পাদন কোম্পানি : স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স উত্পাদন বছর : 1992 / 1993 প্রস্তুতকারী দেশ : দক্ষিণ কোরিয়া মডিউল বৈশিষ্ট্য : 30পিন, SIMM, প্যারিটি RAM মেমরি ক্যাপাসিটি […]

পণ্যের নাম : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 ফর্ম ফ্যাক্টর : DDR3 SO-DIMM Features : 204পিন, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256এম শব্দ × 64 বিট, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]