единичен ранг – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/bg/ device, part, спекулация Wed, 06 Nov 2019 09:43:31 +0000 bg hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-bg SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

Име на продукта Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1К х 8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Номер на частта M378A1K43CB2-CTD
(C-на)
Производител Samsung Electronics
страна на производство Китай
Изграждане година / Седмица 2018 / 28
тип DIMM Udinn
капацитет на данни 8GB
Скорост на данните
(Max Bandwidth)		 2666.67 MT / сек
(21333.33 MB / сек)
Времето на паметта
(CL – tRCD – TRP – Trás – TRC)		 19-19-19-43-61
Характеристика 288щифт, Unbuffer Non-ECC SDRAM DIMM DDR4
бита за данни x64
Вътрешен Модул Банки 16 Банките (4 Банковите групи)
звания 1 (Единична Място)
Компонент Състав (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Пакет 78FBGA без олово & Безхалогенни
(RoHS съвместим)
височина 30mm
VDD напрежение 1.2V ± 0.06V
Работна дело температурен диапазон Средна Обновяване Период 7.8us на по-ниска след това TCASE 85℃,
3.9нас на 85 ℃ < TCASE ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0