K4H560838D-TCB3 – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/bg/ device, part, спекулация Thu, 02 Jun 2016 08:02:55 +0000 bg hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-bg В M368L6423DTM е 32M битова х 64 Двойна Data Rate(DDR) SDRAM памет модул с висока плътност на основата на петата genernation на 256Mb DDR SDRAM съответно. В M368L6423DTM се състои от шестнадесет CMOS 32M х 8 малко с 4banks Двойна Data Rate SDRAMs в 66pin TSOP-II(400хиляда) пакети, монтирани върху 184pin стъкло-епокси субстрат. Четири 0.1uF отделяне кондензатори са монтирани на печатната платка в паралел за всеки DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Име на продукта Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Производител Samsung Electronics
Страна на производство Корея
Изграждане година / седмица 2003/12
капацитет на данни 512MB
Тактова честота 166Mhz (PC2700, DDR333)
Времето на паметта CL = 2.5
Характеристика 184щифт, DIMM, Unbuffer Non-ECC DDR SDRAM
размер 133.35mm х 31.75mm
бита за данни 64малко
Вътрешният модул за банките 4
Данните чип състав K4H560838D-TCB3 × 16
(32М х 8-битов х 16chips)
Пакет TSOP-II
VDD напрежение 2.5V ± 0.2V
Работна дело температурен диапазон 0° C ~ 85 ° С
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0