Име на продукта : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неоригинални части) Номер на частта : PC3200U-30 331-B2 M368L6423ETM-CCC Производител : Samsung Electronics (SEC) Страна на производство : Южна Корея Build година / седмица : 2003/33 капацитет на данни : 512скорост MB Clock : 400Mhz (PC3200) Характеристика : 184щифт, Небуфериран Non-ECC DDR SDRAM DIMM данни чип състав : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 данните чипове […]

Име на продукта : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Производител : EKmemory Държава на производство : Капацитет Южна Корея данни : 2скорост GB Clock : 1333Mhz (PC3-10600) Характеристика : 240щифт, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM данни чип състав : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 чипове VDD напрежение : 1.5V начална страница : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&не = 91

Име на продукта Samsung 4GB DDR3 SDRAM памет PC3-10600 (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Производител Samsung Electronics (SEC) Държава на производство Южна Корея Build година / седмица 2011/31 Капацитет Data 4GB 1333MHz часовник скорост (PC3-10600) Времето памет CL = 9, tRCD = 9, TRP = 9 Характеристики 240pin, 64 Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM данни бита дълбочина / Bit организация 512M / x8 вътрешния модул […]

A-DATA Vitesta DDR600 памет Viesta, в памет DDR SDRAM модули, първо постига 600Mhz тактова честота с Samsung TCCD чипове памет. Капацитетът на данните на А-данни Viesta е 512 или 256. Той е бил използван най-вече за ovcrclocking.   Име на продукта A-DATA Vitesta DDR600 512MB Номер MDOSSLF3H47A0B1G0Z Производител A-DATA Държава на производство Тайван Build Година 2004 Особености 184pin Unbuffer […]

Име на продукта : ЕЛПИДА 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Номер : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Производител : ЕЛПИДА Държава на производство : Тайван Build Година / Седмица : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM функции : 204щифт, Капацитет Non-ECC памет : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps напрежение : 1.5V Организация : 256M думи × 64 бита, 2 нарежда Chip Състав : J1108BFBG-DJ-F […]