16MB – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/bg/ device, part, спекулация Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 bg hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-bg Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • Име на продукта : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • Номер на частта : KMM366S203CTL-G0
  • Производител : Samsung Electronics Co., Ltd. (SEC)
  • Страна на производство : Южна Кореа
  • Изграждане година / седмица : 1998/09
  • капацитет на данни : 16MB
  • Тактова честота : 66Mhz (PC66)
  • Характеристика : 168 щифт, Небуфериран Non-ECC SDRAM DIMM
  • Данните чип състав : [KM48S2020CT-G10] × 8 чипс
    (2M × 64 бита)
  • Информация за един чип
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM или UQL004DD)
    • Тип IC памет : Синхронен DRAM
    • Капацитет : 2M x 8 бита
    • Време за достъп-Макс : 7 НЧ
    • Дължина на преплетен пакет: 1, 2, 4, 8
    • Тактова честота-макс (fCLK) : 100 MHz
    • 44 щифт
    • Изграждане година / седмица : 1998/07
  • VDD : 3.3V
  • ДР : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-bg LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • Име на продукта : LG SDRAM 16MB PC66
  • Номер на частта : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • Производител : LG Semicon Co., Ltd.
  • Страна на производство : Южна Кореа
  • Изграждане година / седмица : 1997/03
  • капацитет на данни : 16MB
  • Тактова честота : 66Mhz (PC66)
  • Характеристика : 168щифт, Небуфериран Non-ECC SDRAM DIMM
  • Данните чип състав : [GM72V16821BT10K] × 8 чипс
    (2M × 64 бита)
  • Един Chip Капацитет : 2M x 8 бита
  • VDD : 3.3V
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-bg LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • Производител : LG Semicon Co., Ltd.
  • Страна на производство : Южна Кореа
  • Номер на частта : ?
  • Form Factor : SIMM
  • Характеристика : 72щифт, EDO DRAM, Non-четност
  • капацитет на паметта : 16MB
  • Bandwidth : 32малко
  • скорост : 60НЧ(Trac)
  • Волтаж : 5V
  • Chip Състав : GM71C17400CJ6 × 8
  • Година/седмица на изграждане на чип : 1998/27
  • Един Chip Капацитет : 4М х 4bit
  • и т.н : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414) https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/ https://www.devicelog.com/bg/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/#comments Thu, 04 Aug 2011 13:39:13 +0000 https://www.devicelog.com/?p=110-bg EDO DRAM има временна памет за по-бързи данни I / O. Той е ефективен, когато системата не може да получава подкрепа кеш памет. Но ако системата има кеш памет, the effect of EDO DRAM is little.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • Производител : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
  • Изграждане година / Седмица : 1997/32
  • Страна на производство : Корея (Южна Кореа)
  • Номер на частта : HYM532414 BM-60
  • Form Factor : SIMM
  • Характеристика : 72щифт, EDO DRAM, Non-четност
  • капацитет на паметта : 16MB
  • Bandwidth : 32малко
  • скорост : 60НЧ(Trac)
  • Волтаж : 5V
  • Chip Състав : HY5117404B(J-60) × 8
  • Един Chip Капацитет : 4М х 4bit
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/hyundai-72pin-16mb-edo-dram-simm-hym532414/feed/ 1