Производител : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Изграждане година : 1994 Страна на производство : Номер на част от Южна Корея : HYM532100AM-70 Форм фактор : Тип памет на SIMM : EDO DRAM Капацитет на паметта : 4Тип MB шина : Fast Page Memory (FPM) Корекция на грешка : Непаритетни щифтове : 72ширина на честотната лента : 32малко латентност : 70НЧ (Trac) Волтаж […]

Име на продукта : Samsung SDRAM 32MB PC66 Номер на частта : KMM366S403BTN-G0 Производител : Samsung Electronics (SEC) Страна на производство : Южна Корея Build година / седмица : 1997/33 капацитет на данни : 32скорост MB Clock : 66Mhz (PC66) Характеристика : 168щифт, Небуфериран не-ECC SDRAM DIMM Data чип състав : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 чипове VDD : 3.3V

Име на продукта : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (неоригинални части) Номер на частта : PC3200U-30 331-B2 M368L6423ETM-CCC Производител : Samsung Electronics (SEC) Страна на производство : Южна Корея Build година / седмица : 2003/33 капацитет на данни : 512скорост MB Clock : 400Mhz (PC3200) Характеристика : 184щифт, Небуфериран Non-ECC DDR SDRAM DIMM данни чип състав : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 данните чипове […]

Име на продукта : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Производител : EKmemory Държава на производство : Капацитет Южна Корея данни : 2скорост GB Clock : 1333Mhz (PC3-10600) Характеристика : 240щифт, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM данни чип състав : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 чипове VDD напрежение : 1.5V начална страница : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&не = 91

Име на продукта Samsung 4GB DDR3 SDRAM памет PC3-10600 (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Производител Samsung Electronics (SEC) Държава на производство Южна Корея Build година / седмица 2011/31 Капацитет Data 4GB 1333MHz часовник скорост (PC3-10600) Времето памет CL = 9, tRCD = 9, TRP = 9 Характеристики 240pin, 64 Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM данни бита дълбочина / Bit организация 512M / x8 вътрешния модул […]