Памяць – DeviceLog.com https://www.devicelog.com/be/ device, part, спец Thu, 01 Dec 2022 23:32:55 +0000 be hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 Samsung 16MB SDRAM DIMM PC66 (KMM366S203CTL-G0) https://www.devicelog.com/be/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/#respond Wed, 20 Jul 2022 09:33:56 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1358-be Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0)Samsung 16MB SDRAM PC66 DIMM (KMM366S203CTL-G0) backside

  • Назва прадукту : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66
  • Частка нумар : KMM366S203CTL-G0
  • Вытворца : Кампанія Samsung Electronics, ТАА. (SEC)
  • Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя
  • Будаваць год/тыдзень : 1998/09
  • Ёмістасць дадзеных : 16MB
  • Тактавая частата : 66МГц (ПК66)
  • Асаблівасці : 168 шпілька, Небуферызаваны Non-ECC SDRAM DIMM
  • Кампазіцыя чыпа дадзеных : [KM48S2020CT-G10] × 8 чыпсы
    (2М × 64 біта)
  • Інфармацыя пра адзін чып
    • KM48S2020CT-G10 (UQK218EM або UQL004DD)
    • Тып IC памяці : Сінхронная DRAM
    • Ёмістасць : 2М х 8 біт
    • Час доступу - Макс : 7 нс
    • Даўжыня пакета з чаргаваннем: 1, 2, 4, 8
    • Тактавая частата-макс (fCLK) : 100 МГц
    • 44 шпілька
    • Будаваць год/тыдзень : 1998/07
  • VDD : 3.3В
  • Г.Д : 366S203BTL, AD1055-00, SMB2 94V-0
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/samsung-16mb-sdram-dimm-pc66-kmm366s203ctl-g0/feed/ 0 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S) https://www.devicelog.com/be/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/#respond Fri, 15 Jul 2022 08:54:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1350-be LG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM GMM2642233BLTG-10K 7101SLG Semicon 9703 2Mx64 SDRAM 168pin DIMM

  • Назва прадукту : LG SDRAM 16MB PC66
  • Частка нумар : GMM2642233BLTG-10K 7101S
  • Вытворца : Кампанія LG Semicon Co., Ltd.
  • Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя
  • Будаваць год/тыдзень : 1997/03
  • Ёмістасць дадзеных : 16MB
  • Тактавая частата : 66МГц (ПК66)
  • Асаблівасці : 168шпілька, Небуферызаваны Non-ECC SDRAM DIMM
  • Кампазіцыя чыпа дадзеных : [GM72V16821BT10K] × 8 чыпсы
    (2М × 64 біта)
  • Ёмістасць аднаго чыпа : 2М х 8 біт
  • VDD : 3.3В
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/sdram/lg-semicon-16mb-sdram-dimm-pc66-gmm2642233bltg-10k-7101s/feed/ 0 LG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) https://www.devicelog.com/be/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/#comments Mon, 11 Jul 2022 15:05:31 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1336-be LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM frontsideLGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM backside

  • Вытворца : Кампанія LG Semicon Co., Ltd.
  • Краіна вытворца : Паўднёвая Карэя
  • Частка нумар : ?
  • Формаў-фактар : SIMM
  • Асаблівасці : 72шпілька, EDO DRAM, Няцотнасць
  • Ёмістасць памяці : 16MB
  • Прапускная здольнасць : 32трохі
  • хуткасць : 60нс(тРАЦ)
  • Напруга : 5В
  • Чып склад : GM71C17400CJ6 × 8
  • Год/тыдзень зборкі чыпа : 1998/27
  • Ёмістасць аднаго чыпа : 4М х 4 біты
  • І г.д : Addonics®, SD816
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/edo-dram/lg-semicon-16mb-edo-dram-72pin-simm-gm71c17400cj6/feed/ 1 Памяць EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-be EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6EK Memory 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6

Назва прадукту EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Частка нумар EKM256S74BP8-E6
Вытворца EK Памяць
Краіна-вытворца Тайвань
Год/тыдзень зборкі чыпа 2008/27
Тып модуля памяці DDR2 SO-DIMM 200 шпілька
Ёмістасць дадзеных 2ГБ
Хуткасць хуткасці 667МГц (ПК2-5300)
Час памяці Cl = 5, tRCD=5, TRP = 5
Асаблівасці 200шпілька
Небуферызаваны
Не-ECC
Сшытак(Ноўтбук) Памяць
Біты дадзеных x64
Інфармацыя пра чып дадзеных EK20908A8A-3EG
20827
XCG248-UA3G
Пакет FBGA (Тонкая крок BGA)
Напружанне VDD 1.8В

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 Samsung 16GB DDR4 SDRAM UDIMM 2Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD) https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-be SAMSUNG DDR4 SDRAM 16GB PC4-21300 1906

Назва прадукту Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UB1-11)
Частка нумар M378A2K43CB1-CTD
(C-памерці)
Вытворца Samsung Electronics
Краіна-вытворца Кітай
Год зборкі/тыдзень 2019 / 06
Тып DIMM UDIMM
Ёмістасць дадзеных 16ГБ
Хуткасць перадачы дадзеных
(Максімальная прапускная здольнасць)		 2666.67 МТ/с
(21333.33 МБ/с)
Час памяці
(CL – тУЗД – тРП – пасля – тРК)		 19-19-19-43-61
Асаблівасці 288шпілька, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Біты дадзеных x64
Банкі ўнутраных модуляў 16 банкі (4 Банкаўскія групы)
Званні 2 (Двайны ранг)
Кампанентны склад (1G × 8) × 16
(K4A8G085WC-BCTD) × 16
Пакет 78FBGA без свінцу & Без галагенаў
(Сумяшчальны з RoHS)
Вышыня 31.25 мм
Напружанне VDD 1.2 V ± 0.06 В
Тэмпературны дыяпазон працоўнага корпуса Сярэдні перыяд абнаўлення 7,8 мкс пры ніжэйшай за TСПРАВА 85℃,
3.9нас пры 85 ℃ < ТСПРАВА ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 Samsung 8GB DDR4 SDRAM UDIMM 1Rx8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) (M378A1K43CB2-CTD) https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-be SAMSUNG DDR4 SDRAM 8GB DIMM (1Rx8_PC4-21300, PC4-2666V-UA2-11, 1828)

Назва прадукту Samsung DDR4 SDRAM 8 ГБ 1R×8 PC4-21300
(PC4-2666V-UA2-11)
Частка нумар M378A1K43CB2-CTD
(C-памерці)
Вытворца Samsung Electronics
Краіна-вытворца Кітай
Год зборкі/тыдзень 2018 / 28
Тып DIMM UDIMM
Ёмістасць дадзеных 8ГБ
Хуткасць перадачы дадзеных
(Максімальная прапускная здольнасць)		 2666.67 МТ/с
(21333.33 МБ/с)
Час памяці
(CL – тУЗД – тРП – пасля – тРК)		 19-19-19-43-61
Асаблівасці 288шпілька, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM
Біты дадзеных x64
Банкі ўнутраных модуляў 16 банкі (4 Банкаўскія групы)
Званні 1 (Адзін ранг)
Кампанентны склад (1G × 8) × 8
(K4A8G085WC-BCTD) × 8
Пакет 78FBGA без свінцу & Без галагенаў
(Сумяшчальны з RoHS)
Вышыня 30мм
Напружанне VDD 1.2V ± 0,06 В
Тэмпературны дыяпазон працоўнага корпуса Сярэдні перыяд абнаўлення 7,8 мкс пры ніжэйшай за TСПРАВА 85℃,
3.9нас пры 85 ℃ < ТСПРАВА ≤ 95 ℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 Samsung 2GB DDR2 SDRAM DIMM 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7) https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/#respond Sat, 04 Jun 2016 15:17:04 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1116-be Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 (M378T5663QZ3-CF7)

Назва прадукту Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400
Частка нумар M378T5663QZ3-CF7
Вытворца Samsung Electronics
Краіна-вытворца Кітай
Год зборкі/тыдзень 2009/04, 2010/07
Тып модуля памяці DIMM
Ёмістасць дадзеных 2ГБ
Хуткасць хуткасці 800МГц (ПК2-6400)
Час памяці CL=6, tRCD=6, tRP=6
Асаблівасці 240шпілька, Небуферызаваны Non-ECC DDR2 SDRAM DIMM
Біты дадзеных x64
Банкі ўнутраных модуляў 8
Званні 2
Кампазіцыя чыпа дадзеных
(Глыбіня × Разрадная арганізацыя × шт)		 128М × 8 × 16 шт
(K4T1G084QQ × 16шт)
Пакет 60FBGA без свінцу і без галагенаў
(Сумяшчальны з RoHS)
Вышыня 30мм
Напружанне VDD 1.8V ± 0.1V
Тэмпературны дыяпазон працоўнага корпуса 0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/samsung-2gb-ddr2-sdram-dimm-2rx8-pc2-6400-m378t5663qz3-cf7/feed/ 0 Samsung 8GB PC3-12800 DDR3 SDRAM DIMM (2R×8, M378B1G73QH0-CK0) https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/#comments Fri, 20 Mar 2015 05:46:58 +0000 https://www.devicelog.com/?p=902-be Samsung 8GB DDR3 SDRAM 2R×8 PC3-12800U-11-12-B1 M378B1G73QH0-CK0 1408

Назва прадукту Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM
(2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0)
Вытворца Samsung Electronics
Краіна вытворца філіпінская
Будаваць год/тыдзень 2014/08
Ёмістасць дадзеных 8ГБ
Тактавая частата 1600МГц (ПК3-12800)
Час памяці CL=11, tRCD=11, tRP=11
Асаблівасці 240шпілька, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM
Тэхналогія вытворчага працэсу 20, 30, 40нм
Біты дадзеных x64
Банкі ўнутраных модуляў 8
Званні 2
Кампазіцыя чыпа дадзеных
(Глыбіня × Разрадная арганізацыя × шт)		 512M × 8 × 16 шт
(K4B4G0846Q-HCK0 × 16 шт)
Пакет
78 FBGA з бессвинцовым & Без галагенаў
(Сумяшчальны з RoHS)
Вышыня 30мм
Напружанне VDD 1.5V ± 0,075 В
Тэмпературны дыяпазон працоўнага корпуса 0°C ~ 95 °C

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-8gb-ddr3-sdram-pc3-12800u-11-12-b1-2rx8-m378b1g73qh0-ck0/feed/ 4 Samsung 512MB PC2700 DDR SDRAM DIMM (M368L6423DTM) https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/#respond Tue, 03 Mar 2015 08:45:43 +0000 https://www.devicelog.com/?p=814-be M368L6423DTM мае 32 Мбіт x 64 Падвойная хуткасць перадачы дадзеных(DDR) Модуль памяці SDRAM высокай шчыльнасці на аснове пятага пакалення 256 Мб DDR SDRAM адпаведна. M368L6423DTM складаецца з шаснаццаці CMOS 32M x 8 біт з 4 банкамі SDRAM з падвойнай хуткасцю перадачы дадзеных у 66-кантактным TSOP-II(400млн) пакеты, усталяваныя на 184-кантактнай шкляна-эпаксіднай падкладцы. Чатыры раздзяляльныя кандэнсатары 0,1 мкФ усталяваны на друкаванай плаце паралельна для кожнай DDR SDRAM. The M368L6423DTM Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.

Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM) Samsung DDR SDRAM 256MB PC2700 DIMM (M368L6423DTM)

Назва прадукту Samsung DDR SDRAM PC2700 512MB DIMM
(PC2700U-25331B2, M368L6423DTM)
Вытворца Samsung Electronics
Краіна вытворца Карэя
Будаваць год/тыдзень 2003/12
Ёмістасць дадзеных 512MB
Тактавая частата 166МГц (ПК2700, DDR333)
Час памяці CL=2,5
Асаблівасці 184шпілька, DIMM, Небуферызаваная не-ECC DDR SDRAM
Памер 133.35мм × 31,75 мм
Біты дадзеных 64трохі
Банкі ўнутраных модуляў 4
Кампазіцыя чыпа дадзеных K4H560838D-TCB3 × 16
(32M × 8 біт × 16 мікрасхем)
Пакет ТСОП-ІІ
Напружанне VDD 2.5V ± 0,2V
Тэмпературны дыяпазон працоўнага корпуса 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr-sdram/samsung-ddr-sdram-pc2700-512mb-dimm-m368l6423dtm/feed/ 0 Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/ https://www.devicelog.com/be/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/#comments Mon, 02 Mar 2015 13:25:48 +0000 https://www.devicelog.com/?p=791-be У ліпені Samsung Electronics выпусціла модулі DDR3 SDRAM па 30-нм тэхпрацэсе 2010. This RAM module was made by the 40nm process technology.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB rearside

Назва прадукту Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Вытворца Samsung Electronics (SEC)
Краіна вытворца Кітай
Будаваць год/тыдзень 2011/13
Ёмістасць дадзеных 4ГБ
Тактавая частата 1333МГц (ПК3-10600)
Час памяці CL=9, tRCD=9, tRP=9
Асаблівасці 204шпілька, SODIMM, Разбуферызацыя DDR3 SDRAM без ECC
Тэхналогія вытворчага працэсу 40нм
Біты дадзеных x64
Банкі ўнутраных модуляў 8
Званні 2
Кампазіцыя чыпа дадзеных 256М х 8 * 16 шт
Рэвізія кампанентаў 2Gb, C-памерці
Пакет 78 мяч FBGA
Вышыня 30мм
Напружанне VDD 1.5В
Тэмпературны дыяпазон працоўнага корпуса 0°C ~ 85 °C
]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-sodimm-ddr3-pc3-10600-4gb-ram/feed/ 3