https://www.devicelog.com/az/ device, part, spesifikasiya Tue, 23 Mar 2021 10:33:05 +0000 az hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.6.2 https://www.devicelog.com/az/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/ https://www.devicelog.com/az/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/#respond Tue, 23 Mar 2021 10:30:05 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1311-az

Məhsulun adı	EK Yaddaş 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5
Hissə nömrəsi	EKM256S74BP8-E6
İstehsalçı	EK yaddaşı
İstehsalçı ölkə	Tayvan
Chip Build il/həftə	2008/27
Yaddaş Modulunun Növü	DDR2 SO-DIMM 200 pin
Məlumat Tutumu	2GB
Saat sürəti	667Mhz (PC2-5300)
Yaddaş Zamanlaması	CL=5, tRCD=5, tRP=5
Xüsusiyyətləri	200pin Bufersiz Qeyri-ECC Notebook(Noutbuk) Yaddaş
Məlumat bitləri	x64
Data Çipi məlumatı	EK20908A8A-3EG 20827 XCG248-UA3G
Paket	FBGA (İncə səsli BGA)
VDD gərginliyi	1.8V

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr2-sdram/ek-memory-2gb-ddr2-so-dimm-pc2-5300-cl5-ekm256s74bp8-e6/feed/ 0 https://www.devicelog.com/az/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/ https://www.devicelog.com/az/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/#comments Wed, 06 Nov 2019 07:38:24 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1233-az

Məhsulun adı	Samsung DDR4 SDRAM 16GB 2R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11)
Hissə nömrəsi	M378A2K43CB1-CTD (C-ölüm)
İstehsalçı	Samsung Electronics
İstehsalçı ölkə	Çin
İl/Həftə qurmaq	2019 / 06
DIMM növü	UDIMM
Məlumat Tutumu	16GB
Data Rate (Maksimum bant genişliyi)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
Yaddaş Zamanlaması (CL – tRCD – tRP – sonra – tRC)	19-19-19-43-61
Xüsusiyyətləri	288pin, ECC olmayan DDR4 SDRAM DIMM-ni buferdən çıxarın
Məlumat bitləri	x64
Daxili Modul Bankları	16 Banklar (4 Bank qrupları)
Rütbələr	2 (İkili dərəcə)
Komponent tərkibi	(1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16
Paket	78Qurğuşunsuz FBGA & Halojensiz (RoHS uyğun)
Hündürlük	31.25 mm
VDD gərginliyi	1.2 V ± 0.06 V
Əməliyyat qutusunun temperatur diapazonu	Orta Təzələmə Müddəti T-dən aşağı 7.8usİŞ 85℃, 3.9bizdə 85 ℃ < TİŞ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-16gb-ddr4-sdram-udimm-2rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ub1-11-m378a2k43cb1-ctd/feed/ 1 https://www.devicelog.com/az/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/ https://www.devicelog.com/az/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/#respond Tue, 05 Nov 2019 11:07:57 +0000 https://www.devicelog.com/?p=1215-az

Məhsulun adı	Samsung DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11)
Hissə nömrəsi	M378A1K43CB2-CTD (C-ölüm)
İstehsalçı	Samsung Electronics
İstehsalçı ölkə	Çin
İl/Həftə qurmaq	2018 / 28
DIMM növü	UDIMM
Məlumat Tutumu	8GB
Data Rate (Maksimum bant genişliyi)	2666.67 MT/s (21333.33 MB/s)
Yaddaş Zamanlaması (CL – tRCD – tRP – sonra – tRC)	19-19-19-43-61
Xüsusiyyətləri	288pin, ECC olmayan DDR4 SDRAM DIMM-ni buferdən çıxarın
Məlumat bitləri	x64
Daxili Modul Bankları	16 Banklar (4 Bank qrupları)
Rütbələr	1 (Single Rank)
Komponent tərkibi	(1G × 8) × 8 (K4A8G085WC-BCTD) × 8
Paket	78Qurğuşunsuz FBGA & Halojensiz (RoHS uyğun)
Hündürlük	30mm
VDD gərginliyi	1.2V ± 0.06V
Əməliyyat qutusunun temperatur diapazonu	Orta Təzələmə Müddəti T-dən aşağı 7.8usİŞ 85℃, 3.9bizdə 85 ℃ < TİŞ ≤ 95℃

 

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr4-sdram/samsung-8gb-ddr4-sdram-udimm-1rx8-pc4-21300-pc4-2666v-ua2-11-m378a1k43cb2-ctd/feed/ 0 https://www.devicelog.com/az/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/ https://www.devicelog.com/az/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/#respond Thu, 10 Jan 2013 02:20:09 +0000 https://www.devicelog.com/?p=602-az

Məhsulun adı	Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2Rx8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1)
İstehsalçı	Samsung Electronics (SEC)
İstehsalçı ölkə	Cənubi Koreya
İl/həftə qurun	2011/31
Məlumat Tutumu	4GB
Saat sürəti	1333Mhz (PC3-10600)
Yaddaş Zamanlaması	CL=9, tRCD=9, tRP=9
Xüsusiyyətləri	240pin, Qeyri-ecc ddr3 sdram dimm
Məlumat bitləri	x64
Dərinlik / Bitlik təşkilatı	512M / x8
Daxili Modul bankları	8
Rütbələr	2
Məlumat çipinin tərkibi	[SEC HCH9 K4B2G0846D] ✕ 16 çiplər (256Mbit ✕ 8 ✕ 16 əd)
Komponentin təftişi	4nəsil
Paket	FBGA (Qurğuşunsuz & Halogensiz)
Hündürlük	30mm
VDD gərginliyi	1.5V
Əməliyyat qutusunun temperatur diapazonu	0°C ~ 85°C

]]> https://www.devicelog.com/memory/dram/ddr3-sdram/samsung-ddr3-sdram-4gb-pc3-10600-1333mhz-2rx8-korea/feed/ 0