اسم المنتج Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400 رقم الجزء M378T5663QZ3-CF7 الشركة المصنعة Samsung Electronics بلد التصنيع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2009/04, 2010/07 نوع وحدة الذاكرة سعة بيانات DIMM سرعة الساعة 2 جيجابايت 800 ميجا هرتز (PC2-6400) توقيت الذاكرة CL=6, تي آر سي دي=6, tRP=6 يتميز بـ 240pin, Unbuffer وحدات بيانات DDR2 SDRAM DIMM غير متوافقة مع ECC وبنوك الوحدة الداخلية x64 8 صفوف 2 بيانات […]

اسم المنتج: Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2آر إكس 8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) الشركة المصنعة Samsung Electronics بلد الصنع الفلبين سنة الصنع / الأسبوع 2014/08 سعة البيانات 8 جيجا سرعة الساعة 1600 ميجا هرتز (PC3-12800) توقيت الذاكرة CL=11, تي آر سي دي = 11, tRP=11 يتميز بـ 240pin, تقنية عملية الإنتاج Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM 20, 30, 40بتات البيانات نانومتر x64 بنوك الوحدة الداخلية 8 صفوف […]

M368L6423DTM هو 32 ميجا بت × 64 معدل بيانات مزدوج(DDR) وحدة ذاكرة SDRAM عالية الكثافة تعتمد على الجيل الخامس من ذاكرة DDR SDRAM بسعة 256 ميجابايت على التوالي. يتكون M368L6423DTM من ستة عشر CMOS 32M x 8 بت مع 4 بنوك ذات معدل بيانات مزدوج SDRAMs في 66pin TSOP-II(400ميل) حزم مثبتة على ركيزة زجاجية إيبوكسي 184pin. أربعة مكثفات فصل 0.1 فائق التوهج […]

اسم المنتج : Samsung SDRAM 32MB PC66 Part number : KMM366S403BTN-G0 Manufacturer : سامسونج للإلكترونيات (ثانية) بلد الصنع : كوريا الجنوبية سنة البناء / الأسبوع : 1997/33 سعة البيانات : 32سرعة الساعة ميجابايت : 66ميغاهيرتز (PC66) سمات : 168دبوس, تكوين شريحة البيانات غير المخزنة بنظام ECC SDRAM DIMM : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 chips VDD : 3.3الخامس

اسم المنتج : سامسونج DDR SDRAM 512 ميجابايت PC3200 (أجزاء غير أصلية) رقم الجزء : الشركة المصنعة PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC : سامسونج للإلكترونيات (ثانية) بلد الصنع : كوريا الجنوبية سنة البناء / الأسبوع : 2003/33 سعة البيانات : 512سرعة الساعة ميجابايت : 400ميغاهيرتز (PC3200) سمات : 184دبوس, تركيبة شريحة البيانات غير المخزنة بنظام ECC DDR SDRAM DIMM : [سيك K4H560838E-TCCC] ✕ 8 بيانات الرقائق […]