اسم المنتج ذاكرة Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 سعة 2 جيجابايت (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) الشركة المصنعة Samsung Electronics بلد الصنع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2010/38 سعة البيانات 2 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) الميزات 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM تكنولوجيا عملية الإنتاج 40 نانومتر بت البيانات x64 بنوك الوحدة الداخلية 8 تكوين شريحة البيانات [ثانية HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 رقائق […]

اسم المنتج : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 شكل عامل : DDR3 SO-DIMM Features : 204دبوس, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

يحتوي EDO DRAM على مساحة ذاكرة مؤقتة لإدخال/إخراج البيانات بشكل أسرع. يكون فعالاً عندما يتعذر على النظام تلقي دعم ذاكرة التخزين المؤقت. ولكن إذا كان النظام لديه ذاكرة التخزين المؤقت, تأثير EDO DRAM قليل. الصانع : شركة هيونداي للصناعات الإلكترونية, المحدودة. سنة البناء / الأسبوع : 1997/32 بلد الصنع : كوريا (كوريا الجنوبية) رقم القطعة […]

This SIMM plated with golden color. The plating color and the board form of this SIMM is different from the SIMM with GM71C4400A. GM71C4400B is 1M × 4bit. And GM71C1000B is 1M × 4bit. The memory capacity and the function of this SIMM is not different from the SIMM with GM71C4400A and GM71C1000. Manufacturing […]

Goldstar is the trademark of Goldstar Electron Co., المحدودة. It changed its name into LG Semiconductor (LG Semicon) at 1995, and it was merged into Hyundai Electronics industry (هاينكس الآن) at 1999. شركة التصنيع : Goldstar Electron Manufactured year: 1993 بلد الصنع : ميزات وحدة كوريا الجنوبية : 30دبوس, درهم, سيم, Parity RAM […]