تم إصدار Samsung Galaxy S4 SHV-E330S لـ SK Telecom في أبريل 2013. وهي متوفرة بلونين, نظام الألوان الأزرق القطبي الشمالي والأحمر أورورا. اس كيه تيليكوم(SKT) قال إن LTE Advanced S4 قادر على الوصول إلى سرعة شبكة تصل إلى 150 ميجابت في الثانية في البنية التحتية الخاصة به. طراز المنتج جالاكسي S4 LTE-A (SHV-330S) (سامسونج جالاكسي S4 4G LTE-A […]

أصدرت شركة Samsung Electronics وحدات DDR3 SDRAM باستخدام تقنية المعالجة 30 نانومتر في يوليو 2010. تم تصنيع وحدة ذاكرة الوصول العشوائي هذه باستخدام تقنية المعالجة 40 نانومتر. اسم المنتج Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2آر إكس 8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) الشركة المصنعة سامسونج للإلكترونيات (ثانية) بلد الصنع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2011/13 سعة البيانات 4 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) توقيت الذاكرة […]

اسم المنتج : الشركة المصنعة EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : بلد الصنع EKmemory : قدرة البيانات في كوريا الجنوبية : 2سرعة الساعة جيجا بايت : 1333ميغاهيرتز (PC3-10600) سمات : 240دبوس, تكوين شريحة بيانات Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 رقائق VDD الجهد : 1.5الصفحة الرئيسية V : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?معرف=dram&رقم=91

اسم المنتج ذاكرة Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 سعة 2 جيجابايت (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) الشركة المصنعة Samsung Electronics بلد الصنع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2010/38 سعة البيانات 2 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) الميزات 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM تكنولوجيا عملية الإنتاج 40 نانومتر بت البيانات x64 بنوك الوحدة الداخلية 8 تكوين شريحة البيانات [ثانية HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 رقائق […]