الصانع : شركة إل جي سيميكون, المحدودة. بلد الصنع : كوريا الجنوبية رقم الجزء : ? شكل عامل : مميزات سيم : 72دبوس, ايدو درام, سعة الذاكرة غير المتساوية : 16عرض النطاق الترددي ميغابايت : 32سرعة بت : 60نانوثانية(تراك) الجهد االكهربى : 5تكوين شريحة V : GM71C17400CJ6 × 8 سنة تصنيع الرقاقة/الأسبوع : 1998/27 سعة شريحة واحدة : 4م […]

اسم المنتج ذاكرة EK 2 جيجابايت DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 رقم القطعة EKM256S74BP8-E6 الشركة المصنعة ذاكرة EK بلد الصنع تايوان سنة تصنيع الشريحة / الأسبوع 2008/27 نوع وحدة الذاكرة DDR2 SO-DIMM 200 دبوس سعة البيانات 2 جيجا سرعة الساعة 667 ميجا هرتز (PC2-5300) توقيت الذاكرة CL=5, تي آر سي دي = 5, tRP=5 يتميز بـ 200pin غير مخزن مؤقتًا وغير مزود بنظام ECC(كمبيوتر محمول) بتات بيانات الذاكرة x64 معلومات شريحة البيانات EK20908A8A-3EG […]

اسم المنتج: Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2آر إكس 8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) الشركة المصنعة Samsung Electronics بلد الصنع الفلبين سنة الصنع / الأسبوع 2014/08 سعة البيانات 8 جيجا سرعة الساعة 1600 ميجا هرتز (PC3-12800) توقيت الذاكرة CL=11, تي آر سي دي = 11, tRP=11 يتميز بـ 240pin, تقنية عملية الإنتاج Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM 20, 30, 40بتات البيانات نانومتر x64 بنوك الوحدة الداخلية 8 صفوف […]

M368L6423DTM هو 32 ميجا بت × 64 معدل بيانات مزدوج(DDR) وحدة ذاكرة SDRAM عالية الكثافة تعتمد على الجيل الخامس من ذاكرة DDR SDRAM بسعة 256 ميجابايت على التوالي. يتكون M368L6423DTM من ستة عشر CMOS 32M x 8 بت مع 4 بنوك ذات معدل بيانات مزدوج SDRAMs في 66pin TSOP-II(400ميل) حزم مثبتة على ركيزة زجاجية إيبوكسي 184pin. أربعة مكثفات فصل 0.1 فائق التوهج […]

أصدرت شركة Samsung Electronics وحدات DDR3 SDRAM باستخدام تقنية المعالجة 30 نانومتر في يوليو 2010. تم تصنيع وحدة ذاكرة الوصول العشوائي هذه باستخدام تقنية المعالجة 40 نانومتر. اسم المنتج Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2آر إكس 8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) الشركة المصنعة سامسونج للإلكترونيات (ثانية) بلد الصنع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2011/13 سعة البيانات 4 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) توقيت الذاكرة […]