أصدرت شركة Samsung Electronics وحدات DDR3 SDRAM باستخدام تقنية المعالجة 30 نانومتر في يوليو 2010. تم تصنيع وحدة ذاكرة الوصول العشوائي هذه باستخدام تقنية المعالجة 40 نانومتر. اسم المنتج Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2آر إكس 8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) الشركة المصنعة سامسونج للإلكترونيات (ثانية) بلد الصنع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2011/13 سعة البيانات 4 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) توقيت الذاكرة […]

اسم المنتج: ذاكرة Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 (2آر إكس 8, PC3-10600U-09-10-أ0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) الشركة المصنعة سامسونج للإلكترونيات (ثانية) بلد الصنع كوريا الجنوبية سنة الصنع/الأسبوع 2011/31 سعة البيانات 4 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) توقيت الذاكرة CL=9, تي آر سي دي = 9, tRP=9 يتميز بـ 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM بتات البيانات بعمق x64 / منظمة بت 512M / وحدة داخلية x8 […]