سامسونج 256 جيجا بايت PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD (وحدة تحكم فينيكس)

Samsung PM981 هو منتج OEM مشتق من Samsung 970 إيفو.

يتميز محرك الأقراص هذا بوحدة V-NAND الجديدة المكونة من 64 طبقة من سامسونج ووحدة تحكم عالية الأداء توفر ما يصل إلى 3,000 ميغابايت/ثانية من إنتاجية القراءة المتسلسلة و 270,000 قراءة عشوائية IOPS.

تم استخدام وحدة التحكم بالذاكرة Samsung Polaris V2 في الإصدار المبكر, ولكن تم استخدام وحدة تحكم الذاكرة ARM Phoenix في الإصدار الأحدث.

وقد حظيت بشعبية كبيرة لفترة من الوقت بسبب قيمتها الجيدة مقابل المال.

اسم المنتج	سامسونج 256 جيجا بايت PM981 M.2 PCIe NVMe Performance OEM SSD
رقم القطعة	MZVLB256HAHQ-00000
نموذج	MZ-VLB2560
سنة الإصدار	2017
الصانع	سامسونج
بلد الصنع	الصين
صتصنيف المنتج	SSD داخلي (محرك الحالة الصلبة)
شكل عامل	م.2 (2280)
واجهة	بكيي 3.0 (×4) (32جي تي/ثانية)
واجهة تحكم المضيف	NVMe 1.2
الكارثة	256غيغابايت
بايت لكل قطاع	512بايت
نوع الذاكرة	ذاكرة فلاش ناند, TLC
هيكل ناند	سامسونج V-NAND V4 (تي ال سي 3D ناند, 64-طبقات)
درهم	○
التخزين المؤقت SLC	○
أداء	– القراءة المتسلسلة : 3000ميغابايت / ثانية – الكتابة التسلسلية : 1800ميغابايت / ثانية – IOPS للقراءة : الأعلى. 270ك – IOPS للكتابة : الأعلى. 420ك
وحدة تحكم الذاكرة	أرم فينيكس (S4LR020 S821HNQD 1842 أرم فينيكس)
NVMe بالوعة الحرارة	غير متضمنة
اوبر	< 1 القطاع لكل 10 15 قراءة بتات
MTBF	1.5 مليون ساعة
درجة حرارة	التشغيل : 0°ج ~ 70°ج غير التشغيل : -40درجة مئوية ~ 85 درجة مئوية
رطوبة (غير التكثيف)	غير التشغيل : 5 ~ 95%
الصدمة الخطية	غير التشغيل (0.5مدة مللي مع 1/2 موجة جيبية) : 1,500 غيبيك
اهتزاز	غير التشغيل (20 ~ 2,000 هرتز, الجيوب الأنفية) : 20 غيبيك
تموج الجهد / الضوضاء (الأعلى.)	100بالسيارات ص ص
استهلاك الطاقة	– يقرأ (اكتب, RMS) : 5.9دبليو – يكتب (اكتب, RMS) : 5.7دبليو – عاطل (اكتب) : 30ميغاواط – L1.2 (اكتب) : 5ميغاواط
عرض	22.00 ± 0.15 مم
طول	80.00 ± 0.15 مم
ارتفاع	الأعلى. 2.38 مم
وزن	الأعلى. 9.0ز