أصدرت شركة Samsung Electronics وحدات DDR3 SDRAM باستخدام تقنية المعالجة 30 نانومتر في يوليو 2010. تم تصنيع وحدة ذاكرة الوصول العشوائي هذه باستخدام تقنية المعالجة 40 نانومتر. اسم المنتج Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2آر إكس 8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) الشركة المصنعة سامسونج للإلكترونيات (ثانية) بلد الصنع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2011/13 سعة البيانات 4 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) توقيت الذاكرة […]