اسم المنتج ذاكرة Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 سعة 2 جيجابايت (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) الشركة المصنعة Samsung Electronics بلد الصنع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2010/38 سعة البيانات 2 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) الميزات 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM تكنولوجيا عملية الإنتاج 40 نانومتر بت البيانات x64 بنوك الوحدة الداخلية 8 تكوين شريحة البيانات [ثانية HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 رقائق […]

العديد من اللوحات الرئيسية, دعم وحدة المعالجة المركزية بنتيوم في وقت مبكر, عادةً ما تحتوي على شرائح ذاكرة التخزين المؤقت المتزامنة كذاكرة تخزين مؤقت لوحدة المعالجة المركزية L2. وحدة ذاكرة التخزين المؤقت للمزامنة هذه(ساحل; ذاكرة التخزين المؤقت على عصا) هي وحدة ذاكرة خارجية تستخدم كذاكرة تخزين مؤقت إضافية لوحدة المعالجة المركزية L2. فهو يزيد من أداء المعالج أثناء انتظار المعالج للتعليمات أو البيانات. يتم استخدام ذاكرة التخزين المؤقت L2 للتشغيل […]

A-Data Vitesta DDR600 Viesta Memory, في وحدات ذاكرة DDR SDRAM, أولا حقق سرعة الساعة 600MHz مع رقائق الذاكرة Samsung TCCD. كانت قدرة بيانات A-Data Viesta 512 ميجابايت أو 256 ميجابايت. تم استخدامه في الغالب في OvCrclocking.   اسم المنتج A-Data Vitesta DDR600 512MB رقم الجزء MDOSSLF3H47A0B1G0Z الشركة المصنعة A-Data بلد تصنيع تايوان بناء 2004 يتميز 184pin Unfuffer […]

يتكون KMM591000AN-7 من شريحتين KM44C1000AJ-7 وشريحة KM44C1000CJ-7 واحدة. يتكون KMM591000BN-7 من شريحتين KM44C1000BJ-7 وشريحة KM44C1000CJ-7 واحدة. وهي عبارة عن شرائح SIMM سعة 1 ميجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي التي تنتجها شركة Samsung Electronics. شركة التصنيع : سنة الصنع لشركة سامسونج للإلكترونيات : 1992 / 1993 بلد الصنع : ميزات وحدة كوريا الجنوبية : 30دبوس, سيم, سعة ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) المتساوية […]

اسم المنتج : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 شكل عامل : DDR3 SO-DIMM Features : 204دبوس, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]