اسم المنتج ذاكرة Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 سعة 2 جيجابايت (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) الشركة المصنعة Samsung Electronics بلد الصنع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2010/38 سعة البيانات 2 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) الميزات 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM تكنولوجيا عملية الإنتاج 40 نانومتر بت البيانات x64 بنوك الوحدة الداخلية 8 تكوين شريحة البيانات [ثانية HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 رقائق […]

A-Data Vitesta DDR600 Viesta Memory, في وحدات ذاكرة DDR SDRAM, أولا حقق سرعة الساعة 600MHz مع رقائق الذاكرة Samsung TCCD. كانت قدرة بيانات A-Data Viesta 512 ميجابايت أو 256 ميجابايت. تم استخدامه في الغالب في OvCrclocking.   اسم المنتج A-Data Vitesta DDR600 512MB رقم الجزء MDOSSLF3H47A0B1G0Z الشركة المصنعة A-Data بلد تصنيع تايوان بناء 2004 يتميز 184pin Unfuffer […]

يتكون KMM591000AN-7 من شريحتين KM44C1000AJ-7 وشريحة KM44C1000CJ-7 واحدة. يتكون KMM591000BN-7 من شريحتين KM44C1000BJ-7 وشريحة KM44C1000CJ-7 واحدة. وهي عبارة عن شرائح SIMM سعة 1 ميجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي التي تنتجها شركة Samsung Electronics. شركة التصنيع : سنة الصنع لشركة سامسونج للإلكترونيات : 1992 / 1993 بلد الصنع : ميزات وحدة كوريا الجنوبية : 30دبوس, سيم, سعة ذاكرة الوصول العشوائي (RAM) المتساوية […]

اسم المنتج : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 شكل عامل : DDR3 SO-DIMM Features : 204دبوس, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

يحتوي EDO DRAM على مساحة ذاكرة مؤقتة لإدخال/إخراج البيانات بشكل أسرع. يكون فعالاً عندما يتعذر على النظام تلقي دعم ذاكرة التخزين المؤقت. ولكن إذا كان النظام لديه ذاكرة التخزين المؤقت, تأثير EDO DRAM قليل. الصانع : شركة هيونداي للصناعات الإلكترونية, المحدودة. سنة البناء / الأسبوع : 1997/32 بلد الصنع : كوريا (كوريا الجنوبية) رقم القطعة […]