اسم المنتج سامسونج DDR4 SDRAM 8GB 1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) رقم الجزء M378A1K43CB2-CTD (ج-ال) الشركة المصنعة سامسونج للإلكترونيات بلد التصنيع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2018 / 28 نوع DIMM سعة بيانات UDIMM معدل بيانات 8 جيجابايت (عرض النطاق الترددي الأقصى) 2666.67 طن متري / ثانية (21333.33 ميغابايت / ثانية) توقيت الذاكرة (كل – tRCD – tRP – بعد – TRC) 19-19-19-43-61 الميزات 288pin, غير ECC Unbuffer […]

اسم المنتج Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2R×8 PC2-6400 رقم الجزء M378T5663QZ3-CF7 الشركة المصنعة Samsung Electronics بلد التصنيع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2009/04, 2010/07 نوع وحدة الذاكرة سعة بيانات DIMM سرعة الساعة 2 جيجابايت 800 ميجا هرتز (PC2-6400) توقيت الذاكرة CL=6, تي آر سي دي=6, tRP=6 يتميز بـ 240pin, Unbuffer وحدات بيانات DDR2 SDRAM DIMM غير متوافقة مع ECC وبنوك الوحدة الداخلية x64 8 صفوف 2 بيانات […]

اسم المنتج: Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2آر إكس 8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) الشركة المصنعة Samsung Electronics بلد الصنع الفلبين سنة الصنع / الأسبوع 2014/08 سعة البيانات 8 جيجا سرعة الساعة 1600 ميجا هرتز (PC3-12800) توقيت الذاكرة CL=11, تي آر سي دي = 11, tRP=11 يتميز بـ 240pin, تقنية عملية الإنتاج Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM 20, 30, 40بتات البيانات نانومتر x64 بنوك الوحدة الداخلية 8 صفوف […]

M368L6423DTM هو 32 ميجا بت × 64 معدل بيانات مزدوج(DDR) وحدة ذاكرة SDRAM عالية الكثافة تعتمد على الجيل الخامس من ذاكرة DDR SDRAM بسعة 256 ميجابايت على التوالي. يتكون M368L6423DTM من ستة عشر CMOS 32M x 8 بت مع 4 بنوك ذات معدل بيانات مزدوج SDRAMs في 66pin TSOP-II(400ميل) حزم مثبتة على ركيزة زجاجية إيبوكسي 184pin. أربعة مكثفات فصل 0.1 فائق التوهج […]

أصدرت شركة Samsung Electronics وحدات DDR3 SDRAM باستخدام تقنية المعالجة 30 نانومتر في يوليو 2010. تم تصنيع وحدة ذاكرة الوصول العشوائي هذه باستخدام تقنية المعالجة 40 نانومتر. اسم المنتج Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2آر إكس 8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) الشركة المصنعة سامسونج للإلكترونيات (ثانية) بلد الصنع الصين سنة الصنع/الأسبوع 2011/13 سعة البيانات 4 جيجا سرعة الساعة 1333 ميجا هرتز (PC3-10600) توقيت الذاكرة […]