Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Construir ano : 1994 País de fabricação : Número da Peça Coréia do Sul : Fator de forma HYM532100AM-70 : Tipo de memória SIMM : Capacidade de memória EDO DRAM : 4Tipo de barramento MB : Memória de página rápida (FPM) Correção de erros : Pinos sem paridade : 72largura de banda do pino : 32latência de bits : 70ns (tRAC) Voltagem […]

EDO DRAM tem espaço de memória temporário para E/S de dados mais rápida. É eficaz quando o sistema não pode receber suporte de memória cache. Mas se o sistema tiver memória cache, o efeito da EDO DRAM é pouco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ano de construção / Semana : 1997/32 País de fabricação : Coréia (Coreia do Sul) Número da peça […]

Esta RAM é SIMM de 1 MB de 30 pinos produzida pela indústria Hyundai Electronics(Hynix de agora). 30-pinos SIMMs foram usados ​​universalmente a partir de 80286 para 80486. Se o número de fichas for um número ímpar, um dos chips executa a verificação de paridade. Esta RAM é composta por dois HY514400A(1M x 4 bits) e um HY531000A(1M x 1 bit). A capacidade de memória de […]