Producent : Hyundai Electronics Industries Co., Sp. z o.o. Rok budowy : 1994 Kraj produkcji : Numer części Korei Południowej : HYM532100AM-70 Form Factor : Typ pamięci SIMM : Pojemność pamięci EDO DRAM : 4Typ magistrali MB : Szybka pamięć stron (FPM) Korekcja błędów : Kołki bez parytetu : 72pin Przepustowość : 32nieco opóźnienie : 70ns (Trac) Napięcie […]

EDO DRAM ma tymczasowej pamięci na szybsze danych I / O. Jest skuteczny, gdy system nie może otrzymać wsparcie pamięci podręcznej. Ale jeśli system jest wyposażony w pamięć cache, efekt EDO DRAM jest mało. Producent : Hyundai Electronics Industries Co., Sp. z o.o. Rok budowy / tydzień : 1997/32 Kraj produkcji : Korea (Korea Południowa) Numer części […]

Ta pamięć RAM to 30-pinowy 1 MB SIMM wyprodukowany przez przemysł Hyundai Electronics(Hynix teraz). 30-pinowe moduły SIMM były powszechnie używane od 80286 do 80486. Jeśli liczba żetonów jest liczbą nieparzystą, jeden z żetonów wykonuje kontrolę parzystości. Ta pamięć RAM składa się z dwóch HY514400A(1Mx 4bit) i jeden HY531000A(1M x 1 bit). Pojemność pamięci […]