Samsung Electronics ໄດ້ປ່ອຍໂມດູນ DDR3 SDRAM ໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການ 30nm ໃນເດືອນກໍລະກົດ 2010. ໂມດູນ RAM ນີ້ຖືກສ້າງຂື້ນໂດຍເຕັກໂນໂລຢີໃນຂະບວນການ 40nm. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ທີ່ໃຊ້ເວລາຈໍາ […]

ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) ປະເທດຜະລິດເກົາຫຼີໃຕ້ສ້າງປີ/ອາທິດ 2011/31 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ເວລາໜ່ວຍຄວາມຈຳ CL=9, tRCD = 9, tRP=9 ຄຸນສົມບັດ 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM Data bits x64 ຄວາມເລິກ / ອົງການຈັດຕັ້ງບິດ 512M / x8 ໂມດູນພາຍໃນ […]