제품명 삼성 8기가바이트 DDR3 SDRAM PC3-12800 기가 바이트 DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) 제조 필리핀 빌드 년 / 주 제조 업체 삼성 전자의 나라 2014/08 데이터 용량 8기가바이트 클럭 속도 인 1600MHz (PC3-12800) 메모리 타이밍 CL = 11, tRCD와 = 11, TRP = 11 240pin 특징, 버퍼 해제 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM 생산 공정 기술 20, 30, 40내지 64의 데이터는 내부 모듈 뱅크 비트 8 계급 […]

삼성 전자는 7 월에 30 나노 공정 기술을 사용하여 DDR3의 SDRAM 모듈 출시 2010. 이 RAM 모듈은 40 나노 공정 기술에 의해 만들어진. 제품 이름 Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) 제조업체 삼성 전자 (비서) 제조국 중국 건설 년 / 주 2011/13 데이터 용량 4기가바이트 클럭 속도 1333MHz의 (PC3-10600) 메모리 타이밍 […]

상품명 : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 제조업체 : EKmemory 제조국 : 한국 데이터 용량 : 2GB 클럭 속도 : 1333MHz의 (PC3-10600) 풍모 : 240핀, 언 버퍼 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM 데이터 칩 구성 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 칩 VDD 전압 : 1.5V 홈페이지 : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&없음 = 91

제품명 삼성 4기가바이트 DDR3 SDRAM PC3-10600 메모리 (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) 제조업체 삼성 전자 (비서) 제조 한국 빌드 년 / 주 국가 2011/31 데이터 용량 4기가바이트 클럭 속도 1333MHz의 (PC3-10600) 메모리 타이밍 CL = 9, tRCD와 = 9, TRP = 9 240pin 특징, 버퍼 해제 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM 데이터 비트의 x64 깊이 / 비트 조직 512M / X8 내부 모듈 […]

제품명 삼성 DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB 메모리 (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 제조업체 Samsung Electronics 제조 업체 중국 빌드 년 / 주 2010/38 데이터 용량 2GB 클록 속도 1333Mhz (PC3-10600) 240 핀 특징, Unbuffer 비 -ECC DDR3 SDRAM DIMM 생산 공정 기술 40nm 데이터 비트 x64 내부 모듈 뱅크 8 데이터 칩 조성물 [SEC HCH9의 K4B2G0846C] ✕ 8 작은 조각 […]