მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 2008/27 მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 200 მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 (მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6) მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6, მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6, მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6(მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6) მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 […]

მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 (PC4-2666V-UB1-11) მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 (გ-ის) მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 2019 / 06 მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 (მაქსიმალური გამტარობა) 2666.67 MT / s (21333.33 მბ / წმ) მეხსიერების დრო (CL – tRCD – tRP – შემდეგ – tRC) 19-19-19-43-61 მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6, მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 […]

მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 (PC4-2666V-UA2-11) მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 (გ-ის) მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 2018 / 28 DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე (მაქსიმალური გამტარობა) 2666.67 MT / s (21333.33 მბ / წმ) მეხსიერების დრო (CL – tRCD – tRP – შემდეგ – tRC) 19-19-19-43-61 მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6, მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 […]

Პროდუქტის სახელი : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (არა ორიგინალური ნაწილები) Ნაწილი ნომერი : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC მწარმოებელი : Samsung Electronics (წ) Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეა აშენების წელი/კვირა : 2003/33 მონაცემთა მოცულობა : 512MB საათის სიჩქარე : 400მჰც (PC3200) მახასიათებლები : 184pin, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ჩიპების მონაცემები […]

პროდუქტის სახელი Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 მეხსიერება (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) მწარმოებელი Samsung Electronics (წ) მწარმოებელი ქვეყანა სამხრეთ კორეა აშენების წელი/კვირა 2011/31 მონაცემთა მოცულობა 4 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) მეხსიერების დრო CL=9, tRCD = 9, tRP=9 მახასიათებლები 240 pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM მონაცემთა ბიტები x64 სიღრმე / ბიტის ორგანიზაცია 512 მ / x8 შიდა მოდული […]