DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე (2RX8, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, M378B1G73QH0-CK0) DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე 2014/08 DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე (DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე) DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 20, 30, 40Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 8 წოდებები […]

Samsung Electronics- მა ივლისში გამოუშვა DDR3 SDRAM მოდულები 30 ნმ პროცესის ტექნოლოგიის გამოყენებით 2010. RAM- ის ეს მოდული დამზადებულია 40 ნმ პროცესის ტექნოლოგიით. პროდუქტის დასახელება Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) მწარმოებელი Samsung Electronics (წ) მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი აშენების წელი/კვირა 2011/13 მონაცემთა მოცულობა 4 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) მეხსიერების დრო […]

Პროდუქტის სახელი : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 მწარმოებელი : EKmemory მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეის მონაცემთა მოცულობა : 2GB საათის სიჩქარე : 1333მჰც (PC3-10600) მახასიათებლები : 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 ჩიპები VDD ძაბვა : 1.5V მთავარი გვერდი : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=დრამი&no=91

პროდუქტის სახელი Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 მეხსიერება (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) მწარმოებელი Samsung Electronics (წ) მწარმოებელი ქვეყანა სამხრეთ კორეა აშენების წელი/კვირა 2011/31 მონაცემთა მოცულობა 4 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) მეხსიერების დრო CL=9, tRCD = 9, tRP=9 მახასიათებლები 240 pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM მონაცემთა ბიტები x64 სიღრმე / ბიტის ორგანიზაცია 512 მ / x8 შიდა მოდული […]

პროდუქტის დასახელება Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB მეხსიერება (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) მწარმოებელი Samsung Electronics მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი აშენების წელი/კვირა 2010/38 მონაცემთა მოცულობა 2 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) აქვს 240 პინი, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 40nm მონაცემთა ბიტი x64 შიდა მოდულის ბანკები 8 მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ჩიპები […]