Nom del producte Samsung 8 GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8 GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Fabricant Samsung Electronics País de fabricació Filipines Construcció any / setmana 2014/08 Capacitat de dades 8 GB Velocitat de rellotge 1600 MHz (PC3-12800) Temps de memòria CL = 11, tRCD = 11, tRP = 11 Característiques 240pin, Unbuffer No ECC DDR3 SDRAM DIMM Tecnologia de processos de producció 20, 30, 40nm Bits de dades x64 Bancs de mòduls interns 8 files […]

Placa base Asrock 880GMH-LE / USB3(placa base) admet el sòcol AM3 AMD Athlon II / CPU Phnome II X2 ~ X6. Compta amb condensadors de polímer conductor d'alta qualitat fabricats al Japó. Nom del producte Asrock 880GMH-LE/USB3 Fabricant Asrock Chipset • Northbridge: AMD 880G • Southbridge: Factor de forma AMD SB710 • Factor de forma Micro ATX (9.6-en × 8,2 polzades, 24.4cm × 20,8 cm) • Tot sòlid […]

Samsung Electronics va llançar mòduls DDR3 SDRAM utilitzant la tecnologia de processos 30nm al juliol 2010. Aquest mòdul RAM es va fer amb la tecnologia de processos 40nm. Nom del producte Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4 GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Fabricant Samsung Electronics (SEC) País de fabricació Xina Any de construcció / setmana 2011/13 Capacitat de dades 4 GB Velocitat de rellotge 1333 MHz (PC3-10600) sincronització de la memòria […]

Nom del producte : Fabricant EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : EKmemory País de fabricació : Capacitat de dades de Corea del Sud : 2GB Velocitat de rellotge : 1333mhz (PC3-10600) Característiques : 240agulla, Unbuffer No ECC DDR3 SDRAM DIMM Composició de xips de dades : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 xips de tensió VDD : 1.5V Pàgina inicial : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = dram&no = 91

Nom del producte Memòria Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Fabricant Samsung Electronics (SEC) País de fabricació Corea del Sud Any de construcció / setmana 2011/31 Capacitat de dades 4 GB Velocitat de rellotge 1333 MHz (PC3-10600) Temps de memòria CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 Característiques 240pin, Unbuffer no ECC DDR3 SDRAM DIMM bits de dades x64 profunditat / Organització de bits 512M / Mòdul intern x8 […]